Nand Falsh外围电路:peripheral circuit 1.Nand flash里至少有2个state Machine(controller),即2个主控。 一个主控:负责处理前端事情。 一个主控:负责后端任务处理。 2.DDC:Dynamic Data cache(包括SDC,PDC,TDC,DDC1,DDC2),有的解析为Page buffer,或者sense Amps。 镁光的NAND flash:L94C:单die 8G,L95B:单die 16G 大致的物理结构图: 所以体积:2个L94C颗粒 > 1个L95B颗粒 3.Block Select Circuit 4.Data Path(把数据传送到接口的通路) 5.charge Pump(把外部供给的5V电压--->内部20V) Bl:bitline又分为ABL(all bitline) SBL(Sheild bitline) 注意:16K的page:会有16384根bitline。 注意:L95B为SBL 1WL下有4个page:even lower page,odd lower page,even upper page,odd upper page phsion emmc颗粒L94C。 open block:没写完的Block a.slc open:写小数据 b.Mlc open:写大数据 c.slc backup:备份 一般一个颗粒中 bitline会保留一些余量,我们是看不到的。bitline如果坏了,是可以做替换repaire的。 一个颗粒中,Dummy wordline会有2个,最顶上一个和最底下一个。 NVDDR1模式:发cmd时,以clk的上升沿触发 Data Input时:NVDDR1和NVDDR2以DQS为准;Asy模式以WR信号为准 Data output时:Asy模式以RE为准,且在稳定期,发出数据。 VT:阀值电压 VT(ER)< VT(pro) program Distrub:会引起如右边的虚线,从而可能导致一次read读取的数据出错,需要read retray,而read retray次数,由你编程决定。
L0是少于0,其它L都是大于0 Write:FC中有电子 0 Erase:FC中无电子 1 注意:阀值电压:VT(ER)<VT(RD)< VT(Wr) 注意:Vpass>VT(write)>VT(Erase) 回流焊:最高温度260度,200度以10S 镁光/记忆:只能保证2次回流焊。 镁光的颗粒,Spec上说3K PEC,实际可达到5K~7K 东芝的颗粒,Spec上3K,那就3K。 one pass program:电压控制比较难 two pass program:2,8原理。 判断V(read)是P/E状态: (1):先充电bitline===》Bl一个高电压VD。 (2):其它三极管加Vpass电压。 (3):给V(read)加0 状态图: |
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