 近年来，非硅计算机晶体材料研究不断突破，甚至被认为是为计算机领域带来了新的希望，可与硅（Si）技术相竞争。专家认为，尽管如此，其对硅主导的集成电路芯片技术，尚无法形成实质性改变。 ■记者 秦志伟 最近，美国麻省理工学院（MIT）研究团队在IEEE国际电子元件会议上发表文章称，用纳米级砷化镓铟（InGaAs）可以构建集成度更高、功耗更低的晶体管。InGaAs晶体管技术被认为是为计算机领域带来了新的希望，甚至可与硅（Si）技术相竞争。 中国科学院上海技术物理研究所研究员王建禄认真研究了MIT团队这项工作，尤其是该项工作的原始数据。“该团队发现了9纳米（nm） InGaAsFinFET结构晶体管的弹道迁移率特性，是InGaAs晶体管技术上的一个突破。”他在接受《中国科学报》采访时表示，但其对以Si主导的集成电路芯片技术，尚无法形成实质性改变。 “硅基晶体管在可预见的未来都将是不可替代的。”中国科学院半导体研究所研究员李晋闽补充道。 晶体管尺寸不断缩小 人类使用的电脑、智能手机、智能硬件等，都离不开晶体管。作为人类史上最伟大的发明之一，晶体管具有检波、整流、稳压、信号调制等多种功能，通常用作放大器和电控开关。但在集成电路技术出现后，大量晶体管可以封装在一片指甲盖大小的芯片内。 摩尔定律显示，当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数量，每隔约18个月会增加一倍，性能也将提升一倍。 随着半导体技术的发展，晶体管尺寸不断缩小，芯片制程不断提高，从32nm到22nm、16nm、14nm、7nm，一直到5nm。不难看出，单颗芯片上可容纳晶体管数量不断增加，最先进的芯片上容纳的晶体管数量已达到几十亿甚至上百亿。 然而，辉煌了55年的摩尔定律逼近极限，冯·诺依曼计算架构也遇到“内存墙”（Memory Wall）问题。 传统晶体管主要以Si材料制作而成。对于Si基晶体管而言，7nm堪称物理极限。专家表示，一旦晶体管尺寸低于7nm，电子的行为将受限于量子的不确定性，晶体管中的电子容易产生隧穿效应，晶体管将变得不再可靠，芯片制造必将面临巨大挑战。 也就是说，虽然Si基半导体材料和晶体管框架的创新持续推进摩尔定律发展，但摩尔定律确实逐步趋近物理极限。 后摩尔时代将会是什么样的，正成为业界当下讨论的焦点。“目前摩尔定律要想进一步延伸，主要是要解决集成度和能效的关系。”王建禄说。 他向《中国科学报》进一步解释道，晶体管体积越来越小，种种物理极限制约着其进一步发展。比如当晶体管沟道区域长度足够短的时候，量子穿隧效应就会发生，会导致漏电流增加，进而导致晶体管效能的下降。 寻找新材料替代Si，生产出尺寸更小、性能更佳的晶体管成为共识。例如，利用碳纳米管和二氧化钼、黑磷、石墨烯、硒化铟等材料制作晶体管，但这些解决方案仍处在实验室实验阶段。 InGaAs是一种潜在候选材料 李晋闽在接受《中国科学报》采访时表示，随着半导体技术不断进步，化合物半导体的比例会越来越大。 除了上述材料外，InGaAs被看成是一种潜在候选材料。王建禄介绍，InGaAs这类半导体是InAs半导体和GaAs半导体的三元合金，是III-V族化合物半导体的典型代表，可用于电子和光电子器件。以InGaAs制作的高速高灵敏的光探测器广泛应用于光纤通信领域，其他重要应用还包括激光器以及太阳能电池。 近年来，有关InGaAs晶体管的报道并不鲜见。例如，2012年MIT研究人员用InGaAs构建了当时最小的22nm节点场效应晶体管；2014年美国宾夕法尼亚州立大学研究人员用InGaAs纳米线构建了弹道传输的纳米线晶体管，并预期沟道的长度可达到14nm甚至更小；2015年，英特尔在国际固态电路会议上报道了基于7nm InGaAs的互补金属有氧化物半导体（CMOS）工艺。 过去，研究人员认为InGaAs晶体管的性能会在小尺度下退化。但MIT最新研究称，这种明显退化不是InGaAs材料本身的固有特性，部分归因于氧化物陷阱。 据称，氧化物陷阱将会导致电子在试图流过晶体管时被卡住。“在低频下，纳米级InGaAs晶体管的性能似乎退化了；但在1 GHz或更高的频率下，它们工作得很好，因为氧化物捕获不再是障碍。当我们以很高的频率操作这些器件时，它们的性能确实很好。”MIT团队一位研究人员表示，“它们与硅技术相比是有竞争力的。” 在王建禄看来，解决氧化物陷阱问题只是技术层面的问题，任何材料与硅竞争，实际上最终都是产业生态的问题。他进一步解释道，目前主流芯片产业的生产、制造等都主要以硅材料为基础来构建。 “用InGaAs来做晶体管的沟道材料确实不是主流关注方向。”南京大学一位专家告诉《中国科学报》，即使在微观电子输运性质上获得进展，考虑到硅的先进制程技术的发展，以及集成电路产业加工工艺对特定沟道材料的重资产投入，这种材料代替硅几乎没有可能。 最新芯片仍采用Si基技术 中国工程院院士郑有炓曾在接受媒体采访时表示，5nm芯片是一个重要阶段，将会孕育出重大创新。 目前台积电和三星的5nm技术节点仍然采用Si材料作为沟道材料，华为麒麟9000和苹果A14的最新芯片技术采用的也是5nm节点Si基技术。 在王建禄看来，近期，工业界关注的材料体系仍将以Si、SiGe等传统半导体材料体系为主；未来随着材料技术的突破，二维半导体、一维碳纳米管等材料有可能进入工业界的视线。 “InGaAs晶体管尚无法对Si基形成威胁。”王建禄再次强调道，硅锗技术仍然可能是3nm技术节点优选材料。 来源： 《中国科学报》 |
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