【原】定制无机发光核壳量子点ZnCuInS/ZnSe/ZnS系列 瑞禧都可供应

定制无机发光核壳量子点ZnCuInS/ZnSe/ZnS系列 瑞禧都可供应

核壳量子点的制备方法可以分为两类：

胶体化学法、外延生长法。

胶体量子点通常采用有机金属前躯体高温热分解的方法合成，通常将阴离子前驱体快速注入到含有阳离子前驱体的高温反应溶液中也被称为高温热注入法，其反应机理是反应前驱体浓度瞬间过饱和、超过成核的临界点，迅速获得单分散的晶核，将量子点的成核过程和生长过程分开，实现了快速成核和缓慢生长，此方法易于控制量子点的尺寸和单分散性（如下图所示）。

高温热注入法合成核壳结构量子点可以通过两步来法实现：

①合成裸核量子点，随后在室温下经过正己烷与甲醇的混合溶液反复萃取、再加入丙酮等离心去掉反应溶剂和副产物来纯化量子点，纯化时还可以通过选择不同的离心速度来去掉大尺寸和小尺寸的裸核量子点，最后留下中间尺寸、粒径较均一的裸核量子点；

②将裸核量子点重新分散在反应溶液中，包覆表面壳层（为了阻止壳层半导体材料独立成核:一方面，通常壳层的生长温度低于成核温度；另一方面，壳层半导体材料的前驱体要用注射器缓慢加入到反应溶液中）。

核壳结构量子点中对壳层厚度的控制是十分有意义的。如果壳层厚度过薄，对裸核量子点的表面钝化将不有效，导致差的发光稳定性。相反，如果壳层厚度过厚，将由晶格失配产生晶格应变，同时伴随着在核壳界面处形成缺陷态。

核/壳结构多元合金量子点的合成可以通过将阴离子前驱体一步注入到高温下混合有核和壳层半导体材料的阳离子前驱体及稳定剂的反应溶液中合成。由于核壳前驱体的反应速率不同，先生成晶核，再逐渐生长合金化的壳层，最后形成单分散的核/壳结构量子点。

ZnCuInS/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点

二硫化锡-铜铟硫量子点复合材料

CuInS2/TiO2基量子点

InAs/GaAs量子点

InAs/InP量子点

银铟硫(AgInS2)量子点

石墨相氮化碳g-C3N4量子点

叶酸修饰FA-AgInS2量子点

PEG修饰InP量子点

水相AgInS_2@PEI量子点

透明质酸/聚乙烯亚胺功能化的碳量子点

聚苯乙烯修饰CdSe/ZnS荧光量子点

甘氨酸碳量子点(CDs-Gly)

咪唑碳量子点(CDs-Imidazole)

聚苯乙烯修饰碳量子点

铜铟硫基(CIS)胶体量子点.

MoS2/g-C3N4量子点复合材料

有机硅功能化的红光碳量子点

绿光硅烷碳量子点

四元铜锌锡硫量子点(CZTS QDs)

Cu2ZnSnS4量子点

PEG修饰g‑C3N4量子点

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