贴片双向可控硅 T1235 TO

贴片双向可控硅 T1235的特点：

• NPNPN 五层结构的硅双向器件

• P 型对通扩散隔离

• 台面玻璃钝化工艺

• 背面多层金属电极

• 工作结温高，换向能力强

• 高电压变化率 dV/dt

• 大电流变化率 dI/dt

• 符合 RoHS 规范

• 封装形式：TO-263
  

贴片双向可控硅 T1235的引脚图：

贴片双向可控硅 T1235的应用：

        加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器

贴片双向可控硅 T1235的极限值：

• 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM：600/800V

• 通态均方根电流 I_T(TMS)：12A

• 通态不重复浪涌电流 I_TSM：120A

• 通态电流临界上升率 dI_T/dt：50A/μs

• 门极峰值电流 I_GM：4A

• 门极平均功率 P_G(AV)：1W

• 存储温度 T_STG：-40~+150℃

• 工作结温 T_j：-40~+125℃
  

贴片双向可控硅 T1235的电特性：

符号	参数	数值	单位
IGT	门极触发电流	≤35	mA
VGT	门极触发电压	≤1.3	V
VGD	门极不触发电压	≥0.2
IH	维持电流	≤35	mA
IL	擎住电流 I-III	≤50
	擎住电流 II	≤60
dVD/dt	断态电压临界上升率	≥500	V/μs
VTM	通态压降	≤1.55	V
IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5	μA
	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1	mA

贴片双向可控硅 T1235的参数特性曲线：

贴片双向可控硅 T1235的封装外形尺寸：