A1SHB,A2SHB三极管MOS

A1SHB,A2SHB三极管MOS

静水深流  2019.03.25

A1SHB是P沟道MOS管，A2SHB是N沟道MOS管。封装都是SOT23-3封装

PL2301-A1SHB

PL2302-A2SHB

A1SHB(PL2301)实物图片,PL2301是三极管的一种，属于场效应管。

02

A2SHB(PL2302)实物图片，PL2302是三极管的一种，属于场效应管。

03

A1SHB（PL2301）PMOS管。
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A
栅极漏电流IGSS：±100nA。

04

A2SHB（PL2302）NMOS管。
晶体管类型 ： N沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：3.0A，TA=70°时：2.2A
栅极漏电流IGSS：±10uA。

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A1SHB(PL2301)实物图片,PL2301是三极管的一种，属于场效应管。

A2SHB(PL2302)实物图片，PL2302是三极管的一种，属于场效应管。

A1SHB（PL2301）PMOS管。
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A
栅极漏电流IGSS：±100nA。

A2SHB（PL2302）NMOS管。
晶体管类型 ： N沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
漏源电压VDS ：20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：3.0A，TA=70°时：2.2A
栅极漏电流IGSS：±10uA。

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