如图所示的用于可控硅触发的脉冲变压器控制...

如图所示的用于可控硅触发的脉冲变压器控制电路。
变压器初级电阻Rcoil约为28Ω ，达林顿管Q1在截止的瞬间，
变压器初级电流I1约为12/28=0.43A，初级电流经过续流二极管V1，电阻R40流回线圈，形成续流回路。
在截止瞬间，流过变压器线圈的电流不能突变，此时，达林顿的集电极电压约为：
12+I1*R40=106.6V，而其CE极能承受的最大电压为100V，已经是超额工作状态。
为了使得线圈电流快速衰减，需要增加R40的电阻，而增加R40的电阻又会增加集电极的瞬间电压，可能导致达林顿管被击穿损坏。
可以在R40两端并联电容，构成RCD吸收电路解决这一矛盾。
由于电容C1两端的电压不能突变，当Q1截止时，线圈电流通过线圈电容以及二极管V1向C1充电。
而C1的容量取值可以用下述方法估算；
线圈储存的能量快速转移至电容C1；
假设线圈电感量为2mH，线圈储存的能量为1/2*L*I1*I1=０.1849mJ。
而电容C1储存的能量为1/2*C1*Δu*Δu,为了使得集电极电压不超过其耐压的80%即80V。
有Δu<50-12=68V；
即1/2*C1*68*68=0.1849mJ，解得C1>0.08uF，当取0.1uF时；
通过线圈电阻的充电时间常数为Rcoil*C1=28*0.1=2.8uS；
通过R40的放电时间常数为R40*C1=220*0.1uF=22uS；
对于三相调压电路，可控硅的触发波形可选择为周期3.3uS，脉宽为200us的单窄脉冲。
可以满足要求。

横图

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