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| | 1999年从西门子拆分出来,主力提供半导体和系统解决方案,解决在高能效、移动性和安全性方面带来的挑战,其高压功率MOSFET及IGBT技术优势明显,加上收购了IR(IR在LV/MV MOS行业技术领先且占有率第一),因此INFINEON可提供功率MOSFET及IGBT全系列产品,目前已收购CREE,后续在SIC功率器件将占主导地位。 |
| | 1921年成立,综合性企业,2012年收购德国厂家VINCOTECH,非功率MOSFET厂商,其在IGBT模块领域有完整的产业链,其模块主要用于机车牵引领域,电动汽车,电机控制领域。VINCOTECH为逆变器IGBT模块主流厂家,内部芯片外购。 |
| | 2000年成立,有SGS和汤姆逊公司合并,半导体综合类厂家,其高压功率MOSFET及IGBT单管技术领先,不提供IGBT模块。 |
| | 1999年成立,前身为motorala半导体元器件部,其功率MOSFET以中低压为主,现收购了FSC(中高压),虽在中压部分有重合,但已开始进军高压领域,2012年起开始发展IGBT单管及IGBT模块业务。 |
| | 1962年成立,老牌分立器件厂家,其中低压MOSFET行业占有率高,仅提供如SOT227封装的少量模块,目前已有部分高压MOS产品, |
| | 2003年由三菱,日立及NEC合资成立,半导体综合厂商,其2013年宣布功率MOSFET退出PC市场,目前重点发展IGBT单管。 |
| | 1939年成立,日本最大半导体厂商,其功率MOSFET产品系列全(从高压到低压),IGBT重点业务在单管,主要市场家电,封装同业界主流不同,以TO3为主,后续会发展模块 |
| | 1923年由日本古河同西门子合资成立,其功率OSFET产品线较窄,仅提供部分高压MOS,IGBT/模块产业链完整有自有芯片。 |
| | 1983年成立,功率半导体行业技术领先公司,产品主要用于工业,其功率MOSFET,IGBT单管规格偏,且价格高 |
| | 1995年成立,时一家专注高可靠性的功率半导体公司,自收购APT后涉足工业及通信领域,其功率MOSFET/IGBT/模块价格高,性能优势不明显,主要做军品。 |
| | 2006年成立,前身为飞利浦事业部之一,半导体综合类公司,其功率MOSFET产品聚焦在100V以下,高压MOSFET,IGBT及IGBT模块 |
| | 1918年成立,是日本最大的电机制造商,分立器件产品线管,功率MOSFET以中低为主,无IGBT/模块,功率GaN FET行业领先 |
| | 1958年成立,综合类半导体公司,尤其擅长器件小型化,MOSFET以小信号为主,SIC器件行业领先,IGBT芯片产品线较窄。 |
| | 1951年成立,专注于功率半导体模块的封装,其封装技术优势明显,无功率MOSFET,IGBT单管,IGBT模块产品线齐全,芯片外购 |
| | 1951年成立,半导体综合类厂商,行业地位高,功率MOSFET以中低压100V以下为主,无IGBT单管及模块 |