创芯人才网 创芯人才网 公众号 来源:记得诚 在电路中,NMOS经常用作下管,S极接地,用G极来控制管子的导通截止,很方便。 NMOS用作上管时,因为S极电平不确定,即G极电平也不好确定,很不方便。 PMOS经常用作上管,S极接固定的VCC,用G极来控制管子的导通截止。 用作下管时,因为S极电源不确定,无法确定G极电压来控制管子的导通截止。 今天的问题并不是这个,而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多,而不是PMOS。 上管用NMOS,还要用到自举电容,麻烦还增加成本。 关于自举电容,可以看这篇文章:DC-DC BUCK自举电路详解 最主要原因是PMOS的Rds(on)比较大,意味着DC-DC的损耗大,效率低,综合下来,DC-DC上管还是用NMOS的多。 在rohm的产品目录中,可看出内阻差别,NMOS都是几个毫欧,PMOS一般是几十毫欧。 在实际应用中,NMOS用的比PMOS多,从rohm MOS型号种类也可以看出来。 对于PMOS,ID为空穴电流,NMOS的ID为电子电流,空穴的移动比电子难,这也是PMOS导通内阻大的原因。 形成空穴沟道比电子沟道更难,所以一般PMOS的导通电压也会比NMOS的导通电压高一些。 关注创芯人才网,搜索职位 创芯人才网 创芯人才网 公众号 关注创芯大讲堂,祝您IC技能更上一层楼! 创芯大讲堂 EETOP旗下半导体行业专业的培训教育平台,打造全方位的人才培养与职业规划、晋级的一流服务机构。 6篇原创内容 公众号 |
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