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Package--封装体：指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多，可以按以下标准分类： 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为：PTH封装和SMT封装 按照封装外型可分为：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等； 按封装材料划分为： 金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额； 按与PCB板的连接方式划分为： PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式的； 按封装外型可分为： 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术； QFN—Quad Flat No-leadPackage 四方无引脚扁平封装 SOIC—SmallOutline IC 小外形IC封装 TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFP—Quad Flat Package四方引脚扁平式封装 BGA—Ball GridArray Package 球栅阵列式封装 CSP—Chip ScalePackage 芯片尺寸级封装 Raw Material in Assembly(封装原材料) 【Wafer】晶圆 【Lead Frame】引线框架 提供电路连接和Die的固定作用； 主要材料为铜，会在上面进行镀银、NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp两种；易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，BGA采用的是Substrate； 【Gold Wire】焊接金线 实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接； 金线采用的是99.99%的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils； 【Mold Compound】塑封料/环氧树脂 主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时； 【Epoxy】银浆 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；有三个作用：将Die固定在Die Pad上；散热作用，导电作用；-50°以下存放，使用之前回温24小时；
FOL– Front of Line前段工艺
FOL– Back Grinding背面减薄
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度（8mils~10mils）；磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度； FOL– Wafer Saw晶圆切割
FOL– 2nd OpticalInspection二光检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程：
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
FOL– Wire Bonding 引线焊接
利用高纯度的金线（Au）、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个BondingTool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点； EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形； Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在LeadFrame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）； W/B四要素：压力（Force）、超声（USGPower）、时间（Time）、温度（Temperature）；
Wire Bond的质量控制： Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力） Wire Loop（金线弧高） Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试）
FOL– 3rd OpticalInspection三光检查
EOL– End of Line后段工艺
EOL-Molding注塑
为了防止外部环境的冲击，利用EMC把Wire Bonding完成后的产品封装起来的过程，并需要加热硬化。
EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。 Molding参数： Molding Temp：175~185°C；ClampPressure：3000~4000N；
在产品（Package）的正面或者背面激光刻字。内容有：产品名称，生产日期，生产批次等； EOL– Post Mold Cure（模后固化）
用于Molding后塑封料的固化，保护IC内部结构，消除内部应力。 EOL– De-flash（去溢料）
目的：De-flash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间多余的溢料； EOL– Plating（电镀）
利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高导电性。 电镀一般有两种类型： Pb-Free：无铅电镀，采用的是>99.95%的高纯度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合Rohs的要求； Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰； EOL– Post Annealing Bake（电镀退火）
目的：让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题; EOL– Trim&Form（切筋成型）
Trim：将一条片的Lead Frame切割成单独的Unit（IC）的过程；
EOL– Final VisualInspection（第四道光检）
在低倍放大镜下，对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品：例如Molding缺陷，电镀缺陷和Trim/Form缺陷等； |
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