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Physical Cell 介绍——Boundary Cell (End-CAP Cell)

 mzsm 2022-06-22 发布于湖北

本公众号【读芯树:duxinshu_PD】主要介绍数字集成电路物理设计相关知识,才疏学浅,如有错误,欢迎指正交流学习。

这是集成电路物理设计的第一个系列【physical cell】的第一篇文章,也是本公众号的第一篇文章,从boundary cell说起:

1,什么是boundary cell?

  • boundary cell也叫做endcap cell, 一般会放置在floorplan的四周,ROW的边界。

2,为什么需要insert boundary cell?

  • 在芯片制造的过程中,最边界的standard cell最容易受到损伤,为减少standard cell的制造过程中的损伤,需要在边界放置boundary cell,boundary cell有dummy poly gate,当制造过程中的损伤发生在边界时,boundary cell的损伤不会影响正常standard cell的功能。

  • 如果没有在边界放置boundary cell, 可能会对芯片的功能造成不可逆的损伤。

  • 在well和implant 层之间不能有gap,否则会有drc,boundary cell保证了well和implant 层之间没有gap。

  • boundary cell的poly extension保证了standard cell的source/drain不会出现在边界。

  • boundary cell放置在row的边界同时保证了边界的well tie的需求。


3,boundary cell的layout是什么样的?

  • boundary cell没有logic pin,只有VDD/GND的连接;

  • boundary cell在最左或者右侧扩展NWELL来减小well proximity effects (WPE 见5)。

  • boundary cell有dummy poly用于保护standard cell 的gate。

  • boundary cell的poly layer会被切断 (Poly Cut layer)

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4,如何在floor plan阶段insert boundary cell?

FC/ICC2 cmd:
>set_boundary_cell_rules \
        -top_boundary_cells        'BOUNDARYPROW*   \
        -bottom_boundary_cells 'BOUNDARYPROW*   \
        -left_boundary_cell 'BOUNDARYLEFT*'   \
        -right_boundary_cell    'BOUNDARYRIGHT*'   \
       -top_right_outside_corner_cell   'BOUNDARYPCORNE*'  \
       -bottom_right_outside_corner_cell  'BOUNDARYPCORNER*'   \
       -top_left_outside_corner_cell   'BOUNDARYPCORNER*'   \
       -bottom_left_outside_corner_cell   'BOUNDARYPCORNER*'   \
        -top_right_inside_corner_cells 'BOUNDARYPINCORNER*'  \
        -bottom_right_inside_corner_cells 'BOUNDARYPINCORNER*'   \
        -top_left_inside_corner_cells  'BOUNDARYPINCORNER*  \
        -bottom_left_inside_corner_cells   'BOUNDARYPINCORNER*'   \
       -top_left_inside_horizontal_abutment_cells 'BOUNDARYPROWLGAP*'  \
       -bottom_left_inside_horizontal_abutment_cells    'BOUNDARYPROWLGAP*' \
       -top_right_inside_horizontal_abutment_cells        'BOUNDARYPROWRGAP*' \
       -bottom_right_inside_horizontal_abutment_cells  'BOUNDARYPROWRGAP*'\
       -mirror_left_inside_corner_cell \
       -mirror_left_outside_corner_cell \
       -segment_parity {horizontal_odd vertical_even} \
       -min_vertical_jog 0.042 \
       -min_horizontal_jog 0.612 \
       -min_vertical_jog 0.042 \
       -min_horizontal_jog 0.612 \
       -min_vertical_separation 0.21 \
       -min_horizontal_separation 2.397
>compile_boundary_cells
>check_boundary_cells

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Innovus cmd:
>setEndCapMode -reset
>setEndCapMode \   
-rightEdge        BOUNDARYLEFT* \                                                                                                    
-leftEdge         BOUNDARYRIGHT*\                                                                                               
-leftTopCorner    BOUNDARYPCORNER*\                                                                                   
-leftBottomCorner BOUNDARYPCORNER* \                                                                                     
-rightTopCorner    BOUNDARYPCORNER*\                                                                                       
-rightBottomCorner BOUNDARYPCORNER* \                                                                           
-topEdge {BOUNDARYPROW8* BOUNDARYPROW4*BOUNDARYPROW2* BOUNDARYPROW1*}
-bottomEdge {BOUNDARYPROW8* BOUNDARYPROW4* BOUNDARYPROW2*  BOUNDARYPROW1*} \
-rightTopEdge     BOUNDARYPINCORNER* \                                                                                    
-rightBottomEdge  BOUNDARYPINCORNER* \                                                                                 
-leftTopEdge     BOUNDARYPINCORNER* \                                                                                       
-leftBottomEdge  BOUNDARYPINCORNER* \                                                                                   
-rightTopEdgeNeighbor    BOUNDARYPROWRGAP*\                                                                       
-rightBottomEdgeNeighbor BOUNDARYPROWRGAP*\                                                                   
-leftTopEdgeNeighbor    BOUNDARYPROWLGAP*\                                                                         
-leftBottomEdgeNeighbor BOUNDARYPROWLGAP*\                                                             >addEndCap
 >verifyEndCap -report   endcap.rpt                      

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5, 什么是阱临近效应(WPE: Well Proximity Effect)

  • WPE会影响芯片的性能和良率。

  • 在芯片制造的过程中,会出现各种制造的二级效应,靠近阱边界的晶体管和非边界的晶体管的性能相比有很大的不同,这会造成晶体管速度有+/-10%的差异。

  • 离子注入阱的过程中,在阱边界(光刻胶)会造成注入离子的反射散射,位于阱边界的晶体管有不同的离子注入情况,这会造成该晶体管不同的性能表现。

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6,参考文献

1,Fusion Compiler/ IC Compiler user guide
2,Innovus user guide

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