| 共 193 篇文章 |
|
（完整内容见知识星球）4. Path group就是path group，如果有创建path group就会显示，没有的话一般就是指该条path的clock信息关于Path group的详细内容，比如为啥要创建Path group，如何查看/报告Path group，什么是Critical Range，如何利用Path group和Critical Range以及Weight来优化Timing可以查看下面的推文：《精华长文-Path Groups 与C... 阅4025 转13 评0 公众公开 22-06-26 14:50 |
ICC2 Innovus - voltage area的大小、形状和位置规划。和power switch有关吗?https://t.zsxq.com/vzrJQNr 如何避免一些Power Domain里面的Feedthrough AOB(Always On Buffer)https://t.zsxq.com/niAyZ37精华 - Always-On (AON) Buffer Insertion using Innovus systemhttps://t.zsxq.com/Z3zBURz MV Design，Power Domain太宽，不想让工具从Pow... 阅344 转6 评0 公众公开 22-06-22 14:39 |
Innovus修复Short的脚本分享(附脚本思路详细讲解)本文选自知识星球，同时星球里面分享了ICC2/ICC/Innovus解决Short问题的脚本，这里分享一下相应的链接：《ICC/ICC2/Innovus 短路(Short)问题该如何解决？前面星球里面写了个推文是讲解如何用dbGet来得到error browser里面的结果并写脚本解决一些overlap的问题（能熟练掌握的话那么你的innovus脚... 阅1748 转18 评0 公众公开 22-06-22 14:39 |
Physical Cell 介绍——Boundary Cell (End-CAP Cell)在芯片制造的过程中，最边界的standard cell最容易受到损伤，为减少standard cell的制造过程中的损伤，需要在边界放置boundary cell，boundary cell有dummy poly gate，当制造过程中的损伤发生在边界时，boundary cell的损伤不会影响正常standard cell的功能。 阅458 转13 评0 公众公开 22-06-22 14:28 |
Physical Cell 介绍——TAP Cell.TAP Cell只有两个连接关系：nWell连接VDD，pSub连接VSS。Innovus cmd:>set_well_tap_mode -rule $welltap_D -bottom_tap_cells $bottom tap_cell -top_tap_cell $top_tap_cells -cell $tap_cells>set_well_tap_mode -insert_cells {{TAPCELL1 rule $distance1} {TAPCELL2 rule $distance2}}>addWellTa... 阅3113 转22 评0 公众公开 22-06-22 14:28 |
Physical Cell 介绍——DCAP Cell.FC/ICC2 cmd:>set decap_cell [sort_collection -desc [get_lib_cells */DCAP*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $decap_cell -continue_on_error>remove_stdcell_fillers_with_violation>set filler_cells [sort_collection -desc [get_lib_cells */FILL*] area]>create_stdcell_fill... 阅1889 转20 评0 公众公开 22-06-22 14:28 |
Physical Cell 介绍——Filler Cell.FC/ICC2 cmd:>set decap_cell [sort_collection -desc [get_lib_cells */DCAP*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $decap_cell -continue_on_error>remove_stdcell_fillers_with_violation>set filler_cells [sort_collection -desc [get_lib_cells */FILL*] area]>create_stdcell_fi... 阅1630 转18 评0 公众公开 22-06-22 14:28 |
Physical Cell 介绍——TCD &ICOVL Cell.这是集成电路物理设计的第一个系列【physical cell】的第五篇文章，本文主要讲TCD Cell &ICOVL Cell相关知识：FEOL/MEOL dummy TCD层识别为TCDDMY，BEOL dummy TCD层识别为TCDDMY_Mn &TCDDMY_Vn，Full stack dummy TCD层识别为TCDDMY_ALL。如果FEOL TCD上面有金属M的绕线，则BEOL TCD包含金... 阅3090 转25 评0 公众公开 22-06-22 14:28 |
Standard Cell 介绍——Cell命名规则与特性。这是集成电路物理设计的第二个系列【standard cell】的第一篇文章，本篇文章从standard cell命名规则说起（TSMC standard cell）：standard cell名称中的Dx代表该cell的驱动能力，x值越大，cell的驱动能力越强，同时面积和功耗越大。如果我们需要增加cell的驱动能力，则需要增加晶体管的宽度，在sta... 阅5035 转22 评0 公众公开 22-06-22 14:27 |
Standard Cell 介绍——CK &DCCK Cell.这是集成电路物理设计的第二个系列【standard cell】的第二篇文章，本篇文章主要讲解CK Cell &DCCK Cell相关知识：相比于CK Cell，DCCK Cell内部有CAP连接的晶体管，且相同驱动的DCCK Cell的面积比CK Cell的面积大。CK &DCCK Cell一般用于CTS中clock network上的cell。DCCK Cell的layout面积... 阅1163 转13 评0 公众公开 22-06-22 14:27 |
