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1.石英砂 硅是地壳内第二丰富的元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在。
2.硅熔炼 电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
3.单晶硅锭 
4.硅锭切割 
5.晶圆 切割出的是晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。
6.光刻胶（Photo Resist）
光刻一：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶。
7.溶解光刻胶 光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
8.蚀刻 使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
9.清除光刻胶 
10.光刻胶 再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
11.离子注入（ion implantation）
在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的院子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。
12.清除光刻胶
13.晶体管就绪 在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
14.电镀
15.铜层
16.抛光
17.金属层
18.晶圆测试
19.晶圆切片（Slicing）
20.丢弃瑕疵内核
21.单个内核
22.封装
23.处理器
24.等级测试
25.装箱
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