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常用电路实例(1)--RC延迟电路

 AMS1117LIB 2022-11-10 发布于上海

PP1V8_ETH为ETH电源,另一路电源有时序约束,需要在其之后1ms上电。方案是该路电源通过LDO提供,搭建一个电路在PP1V8_ETH上电1ms后输出PG信号,用于使能该LDO。因为PP1V8_ETH没上电的时候PG要输出低,也就是输入输出同步,所以这里用2个N管实现逻辑。

实际上也可以直接在PP1V8_ETH上加延迟电路来使能LDO,这里加入PP1V8_SYS相当于增加了一个系统控制权限,下掉这路系统电源就可以让这个电路输出失效,相当这个电路的电源域是PP1V8_SYS,方便和其他信号统一电源域,而且PP1V8_SYS和PP1V8_ETH可以是不同的电压,这样也具有了电平转换功能

在PP1V8_ETH没有上电的时候,Q2不开,Q1打开,ETH_FIRST_PG被拉到地输出低。PP1V8_ETH上电后Q2打开,Q3的G被拉到地,Q3关闭,PP1V8_ETH被PP1V8_SYS上拉输出高,此时R218和C69构成RC延迟电路

因为RC延迟电路的原理是将信号的边沿变缓来使电平延迟达到输入门限,所以要注意输入IO的电平值VIH 和VIL,但是实际上如果不开施密特触发的话,IO的翻转电平是一个中间值,大于这个就是高,小于这个判断为输入低,计算RC值时需要注意

RC的延迟时间计算根本上还是根据电容的充放电公式,计算电容充电到所需电压等级的时间,根据经验值可简化,例如图中R1=10K,C1=0.1uf。R*C=1ms。注意RC中R化为欧姆(Ω),C化为法拉(F)。之后乘积为秒(s)

RC电路的时间常数:τ=RC,电容电压为uc,那么
  充电时,uc=U×[1-e(-t/τ)] U是电源电压
  放电时,uc=Uo×e(-t/τ) Uo是放电前电容上电压

设V0 为电容上的初始电压值;
  V1 为电容最终可充到或放到的电压值;
  Vt 为t时刻电容上的电压值。则:
  Vt=V0 +(V1-V0)× [1-e(-t/RC)]
  或
 t = RC × Ln[(V1 - V0)/(V1 - Vt)]

还是如上图,IO电平1.8V,如果要充到0.9V,即V1=1.8V,Vt=0.9V,R=10K,C=0.1uf

t=10000*0.1/1000*ln(1.8/0.9)=0.693ms,如果按照2/3VDDIO的话就是1.2V,那么

t=10000*0.1/1000*ln(1.8/0.6 )=1.1ms,

因为我们默认电容都是从0电平开始充电,即V0=0,所以上述公式简化为

t = RC × Ln(1 -V1/ Vt)

而电压门限值一般都和VDDIO呈一定比例关系,所以估算时可以将V1/Vt当常数,用RC的值直接计算延迟时间

注:

所谓IO的驱动能力,就和RC有一定关系。实际电路中一定有RC负载存在,在走线和器件的仿真模型里面可以直观的看到,上文我们讨论的是如何拉长信号的边沿,那么如果想要缩短信号边沿,达到各种总线的规范要求,在RC一定的情况下,就需要IO驱动能力强,驱动电流大。使用强上拉相比于弱上拉,也就是减小上拉电阻,本质上就是在减小时间常数τ。

所以我们经常在SPI,I2C等信号质量较差时,调高IO的驱动能力或者换用强上拉。

实例:

如下是一个RST信号,通过3.3V电源拉高使能,实测达到2.4V电压的时间是200ms左右

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