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目前智能手机所使用的声学滤波器主要包括声表面波（SAW，surface acoustic wave）滤波器和体声波（BAW，bulk acoustic wave）滤波器。
SAW滤波器是利用铌酸锂、石英、锆钛酸铅、钽酸锂等压电材料为基体制作的电声换能元件，其基本结构由作为传声介质的压电材料和叉指式换能器（IDT，interdigital transducer）组成。其中，输入端的IDT将电信号转换成声波，声波在基板表面以驻波形式横向传播，输出端的IDT将接收到的声波转换成电信号输出，从而实现滤波。
尽管85.41品目注释规定如果“装配了其他器件（the addition of other components）”，整件货品则不能作为已装配的压电晶体归入该品目。然而，由于SAW滤波器中的IDT多采用半导体平面工艺[例如，金属剥离工艺(lift-off)、干法蚀刻工艺(dry etch)]，并非额外装配的器件，故一般仍将该类滤波器视作已装配的压电晶体归在子目8541.60。
BAW滤波器的基本结构是由底电极-压电薄膜-顶电极构成的三明治复合膜，包括固态装配谐振器（SMR，solidly mounted resonator）和薄膜体声波谐振器（FBAR，film bulk acoustic resonator）两种类型。
BAW滤波器中发挥主要作用的仍是压电材料，但其压电层实际上是以薄膜的形式沉积在半导体基片上，故在归类时就不能再视为“已装配的压电晶体”，而一般应当作为半导体基换能器归在子目8541.51。
在2023年关税调整方案中，税则号列8541.5140下新增了暂定税率商品“半导体基滤波器”，可能就是指的这类产品。
综上所述，智能手机用的声学滤波器因制作工艺不同，归类及适用的进口税率也不尽相同。其中，已装配的压电晶体（8541.6000）常年适用0%的最惠国税率，而尽管半导体基滤波器（8541.5140）在2023年被给予了4%的进口暂定税率，但也意味着该类产品在2022年仍须适用8%的最惠国税率。  文中部分图片来源网络 若涉嫌侵权请联系删除 ·END· |
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