什么是晶体管?MOSFET特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。 一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。
容量特性如图2所示,对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。 温度特性实测例见图(1) ~ (3)所示 关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的开关时间栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。 ROHM根据图2电路的测定值决定规格书的typ.值。
温度特性实测例如图3(1)~(4)所示。 关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时,GS (栅极、源极) 间需要的电压称为VGS(th)(界限值)。 表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下,输入VDS=10V时,使1mA电流通过ID所需的栅极界限值电压ID(th)为1.0V to 2.5V。 ID-VGS特性和温度特性ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。 如图2,界限值随温度而下降。 |
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