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新的设备架构缩小了逻辑单元。
来自: 新用户56228422 > 《半导体》
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实现1nm以下的工艺,有了新方案
imec 的一项发明forksheet 结构则可以延长这种纳米片的生成。Naoto Horiguchi:“虽然forksheet器件架构的面积和性能优势已经通过 TCAD ...
芯片制造工艺可到0.2nm?
High-NA EUV光刻机进展顺利。在上个月的SPIE 高级光刻 + 图案化会议上,imec展示了其联合High-NA 实验室的最新成果,以及与ASML合作开发...
中国科学家的1nm晶体管设计 惊艳了全世界:前途一片光明
a、 SOI-MoS2异质3D堆叠CFET的示意图,其中MoS2用作nFET的沟道,SOI晶片的顶部p-Si用作pFET的通道,HfO2作为nFET和pFET两者的高k电介质...
3nm后的晶体管选择
本文将解释驱动此次历史性转折的主要因素,也会介绍不同世代的纳米片架构,包含纳米片、叉型片(forksheet)和互补式场效晶体管(CFET)...
后FinFET时代的技术演进
在最先进的节点的标准单元大多是6T单元高度,也就是是每个器件最多拥有2根fin。在6T和5T的低单元高度下,向Nanosheet器件的迁移变得最佳...
我国在碳纳米管电子学领域取得世界级突破*
我国在碳纳米管电子学领域取得世界级突破。美国《科学》杂志21日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学...
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项目|欧盟“光子库与制造技术”项目已完成,建立了欧洲硅光子学供应链。据法国CEA-LETI研究中心透露,欧盟FP7硅光子学供应链开发项目光...
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国内外碳纳米管技术进展与差距、发展前景与方向。“我们的研究思路和MIT不同,是一条可以超越硅基CMOS的新路,目前在简单集成电路中也得到了演示。我们制备的小尺度碳纳米管晶体管的性能要比MIT研究组...
摩尔定律终结?下一代芯片技术发展的出路在哪里?「碳」或许能给我们答案
硅基CMOS技术。而硅基CMOS就是以硅为衬底的芯片。1碳纳米管。它是一种管状的碳分子,按照管子的层数不同,分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米...
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