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| 共 23 篇文章 |
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Forksheet：CMOS过渡期的晶体管。比利时微电子研究中心（Imec）负责逻辑技术的副总裁朱利安·瑞卡特（Julien Ryckaert）说，forksheet的想法来自探索纳米片架构的限制点。瑞卡特的团队发现，在构成互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑的N型金属氧化物半导体（NMOS）和P型金属氧化物半导体（PMOS）两种类型晶体管之间，必须保持一定的间隔距离... 阅4 转0 评0 公众公开 23-10-11 06:06 |
硅晶圆工艺中的晶体晶向小知识。因为硅晶圆在晶格结构方面最为稳定，在生产过程中切割成<100>晶向硅晶片的成本较低，且该晶向的硅晶片已经有较为成熟的制造工艺和生产设施。2. 不同方向的硅晶划痕和加工难度不同，不同方向的硅晶片也会有不同的物理特性，如果切割方向与生长方向不同，可能会导致硅晶片表面失真，影响晶体管等电子元器件... 阅606 转1 评1 公众公开 23-08-07 23:27 |
此外，用于像素晶体管的无光电二极管基板可以为传输门（TRG）以外的像素晶体管提供额外空间，例如复位晶体管（RST）、选择晶体管（SEL）和放大晶体管（AMP）。索尼表示，传统 CMOS 图像传感器的光电二极管和像素晶体管占据同一衬底层，而公司的新设计则将光电二极管和像素晶体管分离到两个不同的衬底层中。从工程和制造的角度来看，2 层晶体管... 阅111 转0 评0 公众公开 23-06-20 18:20 |
AI狂飙：GPU供不应求、英伟达/联发科强强联手。今年年初兴起的ChatGPT使生成式人工智能（AIGC）受到业界关注，AI、GPU、加速计算等话题正持续升温，并带动服务器、汽车等终端市场加速拥抱AI未来。据悉，NVIDIA DGX GH200是将256个NVIDIA Grace Hopper超级芯片完全连接到单个GPU中的新型AI超级计算机，支持万亿参数AI大模型训练。AI浪潮下，汽车... 阅3 转0 评0 公众公开 23-05-31 20:31 |
英伟达市值破万亿美元，GPU龙头的称霸之路。成为英伟达。但最终，在2012年，AI研究人员探索了CUDA，度学习开山鼻祖之一的Geoff Hinton的学生Alex Krizhevsky在英伟达的GPU GTX 580上成功训练出了深度卷积神经网络AlexNet，开启AI的大爆炸时代，正式开启了英伟达的万亿美金半导体征程。回到英伟达产品本身，在2020 年 5 月，他们正式宣布了其 Am... 阅15 转0 评0 公众公开 23-05-31 20:05 |
CIS关键工艺技术概览。彩色滤波阵列是有别于半导体存储器制造工艺的CIS独有的工艺 。由于CIS产品对污染的敏感度是存储器产品的数倍，且污染会直接影响CIS产品的良品率和质量，因此CIS的生产必须采用各种污染控制技术。未来，SK海力士的CIS业务将基于自身工艺技术、设备、设计和ISP技术优势，向医疗、安全等不同领域的各种应用产品以及移动端CIS... 阅194 转2 评0 公众公开 23-05-27 22:26 |
未来十年的芯片路线图。Imec 对 CMOS 2.0 范式的设想包括将芯片分解成更小的部分，将缓存和存储器分成具有不同晶体管的自己的单元，然后以 3D 排列堆叠在其他芯片功能之上。imec 晶体管和工艺节点路线图。我们已经看到 AMD 第二代 3D V-Cache 的内存堆叠，将 L3 内存堆叠在处理器之上以提高内存容量，但 imec 设想整个缓存层次结构包含在其自己... 阅4 转0 评0 公众公开 23-05-27 22:15 |
IGBT模块构成各部件的材料。IGBT是在晶闸管的基础上发展而来，但与传统的晶闸管相比，IGBT模块省去了内部的阴极和阳极金属层，分别由芯片表面引出的焊线及DBC上层铜板代替。IGBT模块是由不同的材料层构成，如金属、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。除了材料的选择，事实上，IGBT模块内部每层材料的厚度也... 阅216 转0 评0 公众公开 23-03-19 20:50 |
MOSFET与IGBT的区别来源：艾邦半导体网1由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。在硬开关电路中，如全桥和半桥拓扑中，与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流经过，因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。在硬开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得... 阅7 转0 评0 公众公开 23-03-09 21:57 |
意法半导体的6吋碳化硅晶圆于2017年投产，生产规模扩大有助于降低芯片成本，提高市场供应量，并满足SiC在太阳能逆变器、工业电机驱动器、家用电器和电源适配器等各方面的应用需求，意法半导体至今仍是SiC技术中高压功率产品的领导厂商，正在积极研制推动汽车电动化的SiC关键功率元件，ST目前已完成第三代SiC 技术平台的鉴定，为晶体管效率、功... 阅28 转0 评0 公众公开 23-02-01 15:45 |
