场限环(Field Limit Ring,FLR)场限环是一种常用的终端技术，原理类似多重RESURF技术，本质是在主结旁引入额外的反向的PN结来降低主结的电场。
在零偏时，主结和场限环的耗尽区都由内建电场提供，随着反偏电压逐渐增加，主结的耗尽区慢慢沿着N-区扩展，当主结的耗尽区扩展到场限环时，就只能继续沿着场限环外侧的N-区继续扩展，场限环靠近主结一侧的电场和主结相反，削弱了主结的电场强度，改善了原本的曲率效应，提高了击穿电压。但同时在场限环原理主结的一侧，电场方向与主结一致，会引入新的电场峰值。通过增加场限环的数量，可以继续优化电场分布，提高击穿电压，但场限环数量越多，提升的效果会越来越小，所以需要折衷考虑。 在实际功率半导体器件中，半导体表面覆盖的SIO2内一般存在正电荷，而功率器件一般用P型环，N-型漂移区，和场板电极加正偏压类似，这种情况会降低击穿电压。我们可以把场板结构和场限环相结合，这样不仅可以屏蔽表面电荷的影响，还可以进一步优化电场分布。 结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)FLR的P区并未完全耗尽，存在中性区，有点浪费面积，那就搞个低掺杂，让它全部耗尽如何？在主结旁的N-区一层注入一层轻掺杂的P型区域，反向耐压时，N区电离施主发出的电力线分别终止于P+区和JTE区的电离受主，缓解了主结的曲率效应，同时JTE区全部耗尽，不存在中性区域，更节约面积，但缺点是工艺控制需要更加精确。通过引入不同的电荷浓度分布，形成多区JTE，可以进一步优化电场分布，但工艺会更加复杂。
横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD)多区JTE是在耗尽区不同区域内引入不同数量的附加电荷，不同区域之间浓度突变，引起新的电场尖峰。如果分区数较多，便实现JTE区域的横向变掺杂VLD，进一步优化耗尽区的电场分布而提高耐压。
VLD可以通过一道渐变的掩模窗口来进行离子注入，通过高温推结形成掺杂浓度渐变的P型区域，这样不需要增加额外的工艺步骤，但缺点是需要对注入的离子分布精确控制。 参考资料
|
|
|
