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终端匹配串阻应放在信号的接收端）28, IC器件的去耦电容数量及位置是否合理29, 信号线以不同电平的平面作为参考平面，当跨越平面分割区域时，参考平面间的连接电容是否靠近信号的走线区域。五、文件齐套138, PCB文件：产品型号_规格_单板代号_版本号.brd 139, 背板的衬板设计文件：产品型号_规格_单板代号_版本号-CB[-T/B].brd 140, PCB加工文... 阅1 转自漓涯 公众公开 18-07-04 16:16 |
在IC的规格书中没有仔细的说明，我的理解是这样的，VFB端在IC内部是有一个固定的RC电路再进入比较器比较的，所以在保持VFB电压不变的情况下，可以通过同时增大VF端的分压电阻来调节补偿电源，但分压比例会有受VF端内部的RC影响而有偏差，比如：要使输出电压为5.0V，原本采用的分压电阻为10K和1K，同时增大分压电阻后，要使输出电压仍在5.0V，分... 阅3 转自共同成长8... 公众公开 17-06-12 09:38 |
如何辨别IC真伪 如何辨别IC真伪 发布日期:2014-06-112、打磨片表面印刷文字和图案的大小，字体，深浅与原装货无明显差异，批号相同，在芯片表面有许多微小的平行划痕，背面的产地标识也不相同，管脚一般不会是亮闪闪，而是亚光的，有氧化的恒基，管脚间距比较一致。3、散新片表面印刷文字和图案大小、字体、深浅有差别，生产批号一般不相同，背... 阅269 转3 评0 公众公开 17-05-18 16:23 |
总体上，气密封装元器件可靠性要比非气密封装高一个数量级以上，气密封装元器件一般按军标、宇航标准严格控制设计、生产、测试、检验等多个环节，失效率低，多用于高可靠应用领域。气密封装元器件的空腔内部都含有少量水汽，国军标和美军标对内部水汽含量都做了明确限制，规定内部水汽含量不能超过5000ppm。内部水汽含量是气密封装元器件一项严... 阅164 转1 评0 公众公开 17-05-17 17:25 |
从封装气密性看元器件可靠性|供求信息从封装气密性看元器件可靠性。总体上，气密封装元器件可靠性要比非气密封装高一个数量级以上，气密封装元器件(Au80Sn20 )一般按军标、宇航标准严格控制设计、生产、测试、检验等多个环节，失效率低，多用于高可靠应用领域。相对于传统气密封装，预置金锡盖板产品简化了封装工艺，工艺缩减为盖板定位-钎焊，... 阅75 转0 评0 公众公开 17-05-17 17:24 |
功率电源中器件的温升与极限工作温度 熟悉电子电路设计的朋友一定都知道，在电源整体设计中存在一些发热非常严重的器件，如整流桥、MOS管、快恢复二极管这些器件。其他的功率半导体，则需要看是金属封装还是塑封的，150℃工作温度或者塑封的在最恶劣的情况下，最高温度控制在100℃以内都是没有有问题的。本文从实际操作的角度出发，... 阅215 转1 评0 公众公开 17-05-07 12:11 |
如下： 当没有HV启动功能的芯片时，Vcc只能尽量大启动电阻，大的启动电阻又需要较快的启动时间时，可以这样做,Vcc两级DC接法,C16用于启动储能，C14用于辅助供电储能,使启动时较大R的情况下C能更快充到IC启动阈值：2，没有HV启动脚，将启动电阻接到X电容放电电阻中点，断电后，利用IC的Vcc脚帮助放电，可减小X电容两端电阻的放电功率： 3，把EM... 阅1693 转13 评0 公众公开 16-11-25 09:23 |
开发设计人员如何正确选用MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。这样，MOSFET就能应对开关过程... 阅4 转自罗 林 公众公开 16-11-08 12:28 |
如何选择正确的MOSFET随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当... 阅5 转自在路上360... 公众公开 16-11-08 12:27 |
理解电池充电器功能与充电拓扑结构。三种最常见的充电拓扑结构是传统拓扑结构，混合拓扑结构和窄VDC（NVDC）拓扑结构。对于传统拓扑结构充电器如bq24170、同步开关模式独立电池充电器和bq24725A SMBus充电控制器，系统轨可以达到最大适配器电压。图3：传统充电拓扑结构。在这种情况下，可以考虑bq24770或bq24773等产品中含有的NVDC拓扑结构，通... 阅143 转3 评0 公众公开 16-11-08 11:56 |
