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为什么芯片是方的，晶圆是圆的？为什么有的晶圆外圈是没有芯片的，而有的晶圆电路铺盘整片硅片，晶圆外圈也会出现不完整的芯片呢？晶圆比 “晶方”更适合做芯片。硅片在经过涂胶、光刻、刻蚀、离子注入等步骤后，一颗颗芯片才会被制造出来，不过此时芯片还是“长”在晶圆上的，需要经过切割才能变成一颗颗单独的芯片。在生产芯片的过程中，圆形... 阅11 转0 评0 公众公开 23-10-17 16:51 |
晶圆切割蓝膜的使用方法蓝膜作为晶圆切割和背面研磨的保护胶带，具有很多优点：高度洁净，有效减少振动及应力，降低晶圆被破坏的可能性，撕后无残留等等。使用方法：将蓝膜崩在扩晶环上，然后将晶圆背面完整得贴合在蓝膜上，需要做到无气泡。然后将贴好的晶圆进行后续的切割工艺，切割结束后，可用镊子将划好的芯片从蓝膜上取下，不会有残胶。... 阅40 转0 评0 公众公开 23-09-21 19:04 |
技术文章分享: 半导体和电子器件的AFM失效分析。特别是对于纳米范围内的缺陷尺寸，ADR AFM补充了传统的AOI的不足，AFM的高垂直分辨率有助于可靠的三维缺陷分类。· AFM中缺陷表征的简单且省时的工作流程; · 每小时四到十个缺陷的全自动缺陷表征; · 以纳米分辨率显示三维缺陷; · 非接触测量保障无损表面表征和低针尖磨损... 阅39 转0 评0 公众公开 23-09-11 22:29 |
原子层沉积（ALD）在半导体先进制程的应用。原子层沉积（ALD）是一种可以将物质以单原子膜的形式，一层一层镀在基底表面的先进沉积技术。Ru作为P型半导体栅极的ALD工艺相对成熟，主要是在NH3等离子体的还原作用下将前驱体材料包括RuCp2（Cp=环戊二烯基）、Ru（EtCp）2（Et=乙基）还有Ru（od）2（od=辛二酮）、Ru（thd）3（thd=2，2，6，6-四甲... 阅1 转自leafcho 公众公开 23-08-26 16:09 |
一种半导体激光器端面解理方法一种半导体激光器端面解理方法【专利摘要】本发明提出了一种半导体激光器端面解理方法，包括：将待解理的半导体激光器外延结构置于水玻璃解理环境中，水玻璃解理环境包括水玻璃容器和水玻璃；[0005] 本发明的技术方案是这样实现的：一种半导体激光器端面解理方法，包括： [0006] 1)将待解理的半导体激光器外延结构... 阅10 转0 评0 公众公开 23-08-17 10:55 |
一文读懂ICP刻蚀技术ICP刻蚀技术。ICP刻蚀的优势：ICP刻蚀技术具有刻蚀速率快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和刻蚀表面平整光滑等优点；对于大衬底的刻蚀， 如果刻蚀时间不够， 膜厚处没有刻蚀完全；等离子体刻蚀有四种基本的过程，他们分别是物理溅射刻蚀（Sputtering）、纯化学刻蚀（Chemical）... 阅98 转4 评0 公众公开 23-08-02 08:31 |
芯片减薄划片工艺介绍晶圆减划培训教学PPT课件 广告 电子微组装可靠性设计（基础篇） 阅1 转自Long_龙19... 公众公开 23-06-13 14:34 |
半导体精密划片机行业介绍及市场分析陆芯半导体 半导体工程师 2022-06-16 09:24 发表于北京。半导体晶圆划片机主要包括砂轮划片机和激光划片机，砂轮划片机是综合了水气电、空气静压高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备，其特点为切割成本低、效率高，适用较厚晶圆的切割。二、划片工艺。划片时，应控制划片刀的移... 阅1 转自芯片失效... 公众公开 23-06-13 14:32 |
目前，VCSEL刻蚀过程中的关键环节主要有以下几个方面：控制台面的尺寸、刻蚀时掩膜的质量、刻蚀GaAs后的表面质量、VCSEL台面和侧壁形貌。2020年，张秋波等人针对ICP刻蚀氧化限制型VCSEL时出现的选择性刻蚀（镂空）现象（见图15），用SiO?掩膜刻蚀VCSEL，通过调整RF功率增强刻蚀中的物理效应；本文对VCSEL干法刻蚀关键技术的进展和研究现状进行... 阅20 转1 评0 公众公开 23-05-29 11:32 |
精密切割多指精度要求在正负1mm以内的切割加工，又因为精密加工多用在仪表仪器、高精度配件等用途上，所以精密切割加工主要也是针对金属加工，激光切割加工是最常用的精密切割加工方式之一，这次我们给大家分享的，主要是激光精密切割的两种穿孔方式。在实际生产加工中，激光穿孔的方式通常有两种：脉冲穿孔、爆破穿孔。脉冲穿孔是利用高功率脉... 阅44 转0 评0 公众公开 23-02-06 14:53 |
