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太全面,一颗电容都能有这么多门道电容是电路设计中最为普通常用的器件,是无源元件之一,有源器件简单地说就是需能(电)源的器件叫有源器件, 无需能(电)源的器件就是无源器件。旁路电容:旁路电容,又称为退耦电容,是为某个器件提供能量的储能器件,它利用了电容的频率阻抗特性(理想电容的频率特性随频率的升高,阻抗降低),就像一个水塘,...
高分子钽电容器又称导电高分子聚合物钽电容器或聚合物钽电容器,因其阴极采用导电高分子聚合物材料而得名。高分子钽电容的出现迅速引发了电容器行业的巨变,目前已经形成了替代传统电容器的潮流,相对于传统二氧化锰钽电容具有如下优势:1、良性失效模式,安全性高 高分子钽电容在失效时负极聚合物发生吸氧反应,隔绝了阳极钽粉与氧气的接触...
旁路电容的主要功能是产生一个交流分路,达到一定频率的高频信号可直接通过旁路电容泄放掉,从而消去进入易感区的那些不需要的能量,即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时,要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级,而不需要高频信号进入,则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容,使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉,...
电容去耦原理(解释十分透彻)同样大的电容,假设负载突变的频率较高(几十Mhz或者更高),那么当负载顺么变化的时候(几十Mhz或者更高),ESL上形成的感抗不容忽视,这个感抗会产生一个反向电动势去阻止电容向负载供电,所以负载上实际获得的电流的瞬态性能比较差,即,电容的电流无法供应瞬间的电流突变,尽管电容容量很大,但由于ESL较大,此...
旁路电容:旁路电容,又称为退耦电容,是为某个器件提供能量的储能器件。旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄放途径。我们经常看见有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,其实大的电容通低频,小电容通高频,这样才能充分滤除高低频。一般地,电解电容都会有储能...
对电容充分了解之后,首先我们先来认识最简单的分压电路,如图4根据欧姆定律VCC=2.5V,该纯阻性的分压电路就是比例运算电路的雏形。把图4图5组合就得到图7的电路,这就是我们经常使用的PI电路(比例积分),在参考电压或分压电路里很常见,加电容的目的就是增加延时性,稳定VCC的电压不受5V波动而波动,VCC=2.5V。串联电阻后的电路已经不是理想...
当下管Q2导通时,Vcc - D1 - Cboot - Q1 - GND 形成通路,Vcc对Cboot充电,充满后Cboot 电压近似为Vcc。当下管切到上管导通时,Q1导通,此时Q1的Vds近似为0,Cboot下端电压突变到Vin,由于电容电压不能突变,所有Cboot上端电压为Vin + Vcc。在高端器件开通时,自举二极管必须能够阻止高压(上管导通时二级管反向电压等于 Vin,所有反向耐压一定...
1个时间常数1ms的时间,电容电压充到63%,前半段电容的充电电流还是很大的,此时反推回去1τ下的充电电流为0.37*V1/R1。2个时间常数2ms的时间,电容电压充到86%3个时间常数3ms的时间,电容电压充到95%4个时间常数4ms的时间,电容电压充到98%.所以可以认为3个时间常数电容就基本充满了(95%),而且在上电瞬间,电容等效为短路,此时电流最大,...
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南硬件工程师应该都用过buck,一些buck芯片会有类似下面的自举电容,有时还会串联一个电阻。当 VS 被高端开关上拉到一个较高电压时,由 VBS 对该自举电容放电,此时,VBS 电源浮动,自举二极管处于反向偏置,轨电压 (低端开关关断,高端开关导通)和 IC 电源电压 VDD,被隔离开。输出晶体管的开关速度受导...
陶瓷电容的直流偏压特性。图1 MLCC的直流偏压特性。假设我们要给一个LDO加输出电容,LDO输出电压为5V,推荐输出电容容值为5uF,为保证耐压裕度,我们选择耐压10V村田MLCC(暂不考虑误差和温度系数),经过查询,10uF,0805封装的某型号电容直流偏压特性如下图,其加5V直流电压时实际容值恰好在5uF,满足基本要求。图2 0805封装,10V额定耐压的ML...
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