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| 共 84 篇文章 |
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数字后端基本概念介绍<沟道宽长比>是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。当沟道长度L相同时，不同的沟道宽度会造成cell的不同高度，我们通常说的7 Track, 9 Track即是代表不同的沟道宽度，沟道宽度越大，速度也越快，功耗也越大；当沟道宽度W相同时，不同的沟道长度L也会造成cell的速度不同，我们通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表... 阅566 转8 评0 公众公开 21-05-16 10:02 |
超详细的半导体基本知识讲解 超详细的半导体基本知识讲解 2016-12-21 更多精彩点 ittbank ittbank.微信号 ittbank.功能介绍 让电子库存因技术而改变的ITT模式电商平台。ITTBANK （IC银行）：创新成就价值！云蛋（ittstore）：这个世界上没有库存，只是放错了地方！全球创客会（ITTChina）：我们的世界因技术而改变！欢迎加入ittbank QQ... 阅1 转自anzi1973 公众公开 21-05-04 17:59 |
场效应晶体管（FET）是，栅极通过晶体管导通和截止，电场穿过栅极氧化物。然后，使用限定了栅极氧化物区域的栅极掩模，该栅极氧化物区域随后将形成铝金属栅极。栅极下方的薄栅极氧化物用作掺杂工艺的掩模，可防止在栅极区域（沟道）下方进一步掺杂。EOT = ( 3.9 X TOX ) / K (方程 - 3)其中：EOT：有效氧化物厚度，TOX：氧化物厚度，K：材料的... 阅584 转20 评0 公众公开 21-03-14 13:38 |
图1-4-A 是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。晶体三极管Q1（NPN）导通、Q2（PNP）截止，VCC经过Q1导通对MOS开关管Q3的栅极充电，由于Q1是饱和导通，VCC等效是直接加到MOS管Q3的栅极，瞬间充电电流极大，充电时间极短，保证了MOS开关管Q3的... 阅1 转自anzi1973 公众公开 20-11-27 21:21 |
由于Drain端电压的加入，越靠近Drain端，电场最强，耗尽层越厚，沟道从开始的长方形（不加Drain电压），变成了楔形，即越靠近Drain端，沟道越靠近表面，相当于梯形的上底，Source端相当于梯形的下底，这个楔形沟道会一直保持到发生强反型，即Vds=Vgs-Vt，也就是在器件最右边先打到Vgd=Vt，沟道出现夹断，楔形变成三角形，在此之前，NMOS一直工... 阅6410 转42 评0 公众公开 20-11-16 22:38 |
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型衬底表面也能感... 阅1 转自Ricky_图... 公众公开 20-09-20 19:41 |
温度和芯片供电电压影响芯片的速度和性能。除了工艺对芯片性能有影响外，外界环境条件如温度和芯片供电电压也会影响芯片的速度和性能。2）、芯片供电电压降低后，芯片会变慢，电压升高时，芯片会变快。综上所述，工艺（Process）、电压（Voltage）、温度（Temperature）对IC器件功能和性能均有影响，即PVT的影响，芯片厂家一般会进行芯片级的PV... 阅1913 转3 评0 公众公开 20-09-17 21:49 |
导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强... 阅443 转9 评0 公众公开 20-09-09 22:37 |
随着尺寸进一步缩小至10纳米范围时，Vsupply和Vth也变得更小，但是恒定电场缩放的方法已经无法有效抑制“截止”电流或者说“亚阈值传导”，就是此时无论栅极长度如何，即使栅极偏置在阈值电压之下，仍会有小部分源电子具有足够的能量，克服源电势垒，穿通沟道区传输到漏极，该电流称为亚阈值泄漏电流，器件此时工作在亚阈值区域。但是在此期间... 阅832 转13 评0 公众公开 20-08-25 22:53 |
MOSFET 体效应 | Return To Innocence.MOSFET 的体效应（body-effect，也叫衬底调制效应/衬偏效应），主要是来源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之间的偏压对 MOSFET 阈值电压 vth 的影响：而从一般的 MOSFET 的阈值电压的关系式中 Vth 与 Qdep 的关系（可以考率 Vth 为 MOS 栅电容提供电荷以对应另一侧耗尽区固定电荷的大小），可以看到阈值... 阅301 转9 评0 公众公开 20-08-25 22:47 |
