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不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。而高边驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大一些。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源...
IGBT.1. 电动机驱动系统:IGBT被广泛应用于电动汽车的电动机驱动系统中。IGBT的高电流承受能力和快速开关速度使其能够有效地驱动电动汽车的电动机,并实现高效能量转换。IGBT的高电压承受能力和低导通压降使得逆变器能够高效地将电能从电池系统转换为驱动电动汽车所需的电能。3. 充电系统:IGBT还用于电动汽车的充电系统中。IGBT在电动汽车中被...
MOS管。导通通道的形成取决于门极电压与基底的电压差,当电压差增加时,导通通道的电阻减小,电流增加。-增强型MOS管(Enhancement Mode MOSFET):在无门极电压时,MOS管处于关态,需要施加正门极电压才能将其导通。-耗尽型MOS管(Depletion Mode MOSFET):在无门极电压时,MOS管处于导通状态,需要施加负门极电压才能将其截至。-P沟道MOS管...
MDD | 静电是如何损害电子元器件的。本文将深入探讨静电是如何损害电子元器件的,以及如何预防和控制静电。例如,可以使用静电放电枪和静电放电测试仪来模拟静电放电,以检测元器件在不同电压和电流下的抗静电能力。静电放电方式:与静电体的形状、静电电压、静电体的材质有关,主要可分为三种放电方式。静电是电子元器件面临的一个严峻问题,...
新能源车电池包(PACK)系统介绍。电池包内部的结构相似,都具备电池,放置电池的箱体,高压线束,低压线束,高压断电系统,电池管理系统,热管理系统等。BMU(Battery management Unit)电池管理单元,负责评估CMU传送的数据,如果数据异常,则对电池进行保护,发出降低电流的要求,或者切断充放电通路,以避免电池超出许可的使用条件,同时还对...
元器件集成度越来越高,很多都是用湿敏元器件。在回流区的高温作用下,器件内部的水分会快速膨胀,器件的不同材料之间的配合会失去调节,各种连接则会产生不良变化,从而导致器件剥离分层或者爆裂,于是器件的电气性能受到影响或者破坏。3.怎么管控湿敏元器件的质量。2)湿度敏感等级。一张印有对湿度敏感的化学材料的卡片,当环境湿度发生变化...
这里介绍在PCB生产制造前可以避免的22个PCB设计错误,帮你构建高效制造且无缺陷的PCB。不完整和无效的设计文件基材材料不当走线宽度不当走线间距不当酸性陷阱迹线或者钻孔到边缘的间距不足钻孔过程错误环形圈的缺陷阻焊层错误铜和阻焊条散热器-多余的热量丝网印刷错误。数据效率低下选择错误的组件组件可用性足迹不正确元件间距不足组件到边缘...
同上述方法,当阻值小时,即为二极管的正向电阻,黑表笔接的一端为二极管正极,红表笔接的一端为二极管负极;三极管加上工作电压后有三个电流通过三极管,即发射极电流、基极电流和集电极电流。(1)对于PNP型三极管,将红表笔接到假定集电极上,黑表笔接另一未知管脚,右手手指蘸点水,用拇指和食指捏住红表笔和集电极,用中指碰基极,这样通...
因素B:焊锡膏与焊锡膏印刷存在问题。解决办法:需要工厂选用活性较高的焊锡膏,改善焊锡膏印刷参数,特别是钢网的窗口尺寸。预热、保温的目的是为了使PCB表面温度在60~90s内升到150℃,并保温约90s,这不仅可以降低PCB及元件的热冲击,更主要是确保焊锡膏的溶剂能部分挥发,避免回流焊时因溶剂太多引起飞溅,造成焊锡膏冲出焊盘而形成锡珠。...
ASIL等级从何而来?通过对危害事件进行S/E/C三个维度的评估从而确定风险的ASIL等级对每个具有ASIL等级的危害事件都导出一条Safety Goal,ASIL等级是Safety Goal的基本属性ASIL等级越高,危害事件造成的不合理的风险越大,因此功能安全开发要求也会越高2. ASIL D到底在要求什么?ISO 26262中对单点故障度量的要求如下,对ASIL A的安全目标没有要...
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