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DDR5将启航,谈谈关于规格技术的某些事2020 年7 月14 日,半导体标准化组织JEDEC(JointElectron Device Engineering Council)发布了JESD79-5 DDR5 SDRAM 标准,带来许多关键性性能强化。但当DDR5基础工作电压降到1.1V时,意味更小信号容限,所以过去由主机板负责的电源管理功能,就转移到存储器模组本身,因此DDR5会多一颗PMIC,直接控制存储...
綜合以上資訊來看,DDR5 相比上一世代DDR4 的規格快上2倍讀取速度與提升4倍的記憶體容量,以及整合電源管理IC來達到工作效能優化,而各大處理器晶片廠商也已經開始陸續支援DDR5記憶體界面,如Intel Alder Lake 或AMD Zen 4,這對於未來應用市場如資料中心、5G、自動駕駛、人工智慧、元宇宙...等等的大規模應用下,驅使新世代DDR5將會更大幅度需...
Intel DDR布线之Tabbed Routing一、Overview.Tabbed Routing在pin field区域用来管理该区域的阻抗,以匹配传输线在其他走线层的阻抗。由于pin field区域的非常规情况,PCB厂商一般只会测试open field的阻抗,但不会保证pin filed区域的阻抗控制。使用Tabbed Routing仍然不能保证pin field的阻抗,但可以和open field的阻抗 匹配。在pin field沿...
深层高速电路板设计之Tabbed routing.Tabbed routing 是将小梯形的铜皮添加到相邻平行走线上的一种方式,以更好的控制信号线的互容和阻抗,Tabbed routing添加的地方主要是CPU Breakout部分,走线的位置上面。Tabbed routing 有下面几种方式:Conventions Routing/interdigital tabs, SoC pin field tabs, and open field/facing tabs)如下图所...
当PHY内部的检测机制检测到PHY需要进行Update时,就会通过DFI Update接口向控制器发送Update请求,在一定时间内控制需要停止所有对PHY的数据请求访问,并通过DFI Update接口回应PHY的请求,直到PHY撤销Update请求。2 DDL VT补偿原理。第一种协议:当PHY完成补偿计算后就会将vt_drift信号拉高,而PUB则会根据DFI端口Update的情况在控制器空闲状...
控制器(CPU或FPGA)不停的发送不同时延的DQS 信号,DDR3 SDRAM 颗粒在DQS-DQS#的上升沿采样CK 的状态,并通过DQ 线反馈给DDR3 控制器。控制器端反复的调整DQS-DQS#的延时,直到控制器端检测到DQ 线上0 到1 的跳变(说明tDQSS参数得到了满足),控制器就锁住此时的延时值,此时便完成了一个Write leveling过程;同时在Leveling 过程中,DQS-DQS#...
调校期间,分别测试DQS高电平和DQ高电平,以及DQS低电平和DQ高电平的同步情况。如果不满足要求,则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级(加一档或减一档),直到测试合格才退出OCD操作,通过OCD操作来减少DQ、DQS的倾斜从而提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。ODT的功能与禁止由主控芯片控制,在开机进行EMRS时进行设置,...
每一颗8bit DRAM芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来传送由主控芯片发来的DQS信号,读取时,则由DRAM芯片生成DQS向主控发送。这样,对于4bit位宽芯片,两个芯片共用一个DQM 信号线,对于8bit位宽芯片,一个芯片占用一个DQM信号,而对于16bit位宽芯片,则需要两个DQM引脚。DQM信号和数据信号同时发出,接收方在DQS的上升与下降沿...
SDR都是“单数据传输模式”,这种内存的特性是在一个内存时钟周期中,在一个波形上升沿时进行一次操作(读或写),而DDR则引用了一些新的设计及技术,其在一个内存时钟周期中,在波形上升沿时进行一次操作,在方波的下降沿时也做一次操作,相当于在一个时钟周期中,DDR则可以完成SDR两个周期才能完成的任务,所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存...
DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR。DDR SDRAM又是在SDRAM的基础上发展而来,这种改进型的DRAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。也就是说我们现在使用的DDR SDRAM其实就是属于DRAM的一种,在一些内存颗粒的厂家通常会把DDR SDRA...
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