Panasonic PGA26C09DV 600V GaN HEMT 日本松下(Panasonic)公司的第一个600V氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)有着创新的结构设计,在不使用级联(cascade)的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。 PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构 PGA26C09DV的芯片照片(样刊模糊化) PGA26C09DV芯片剖面图,采用GIT技术(样刊模糊化) PGA26C09DV芯片成本分析(样刊模糊化) PGA26C09DV与GS66504B的比较(样刊模糊化) 若需要《松下600V GaN高迁移率晶体管:PGA26C09DV》样刊,请发E-mail:wangyi#memsconsulting.com(#换成@)。 |
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来自: 郑公书馆298 > 《传感半导体与芯动力》