IGBT的理想等效电路

IGBT属于电压控制型元件。IGBT的内部基本结构理想等效电路就是由PNP双极型晶体管与MOSFET连接形成的单片型晶体管，如图1所示。

 
图1 IGBT基本结构理想等效电路图

     从基本结构理想等效电路来分析，当在IGBT的栅极—发射极间外加正电压时，MOSFET导通，则NPN双极型晶体管因基极—集电极间呈低电平，而处于导通状态。
当在IGBT的栅极—发射极间外加负电压时，MOSFET截止，PNP双极型晶体管处于截止状态。
IGBT是通过控制内部的MOSFET，达到对内部双极型晶体管的控制。即其触发点是MOSFET，因此，IGBT也是通过电压信号控制其开通与关断动作的器件。
    当然，实际的IGBT基本结构复杂程度与种类均比基本结构理想等效电路丰富些。因此，实际的IGBT具有丰富的等效电路。如图2所示。

图2 内部等效电路一例