黄如

研究工作主要集中在纳米尺度新型半导体器件、工艺技术及相关应用技术等方面。已合作出版著作4本，发表学术论文200余篇，包括专业顶级国际会议IEDM和VLSI会议、专业顶级期刊IEEE EDL和T-ED上的40余篇文章;获得100余项发明专利授权;应邀在国际会议上做了20余次大会报告和特邀报告;

主要从事微电子低功耗器件及工艺研究。提出并研制出面向低功耗高可靠电路应用的准SOI新结构器件和面向超低功耗电路应用的肖特基-隧穿混合控制新机理器件。发展了适于十纳米以下集成电路的围栅纳米线器件理论及技术，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源，提出了可大规模集成的新工艺方法，成功研制出低功耗围栅纳米线器件及模块电路。发现了纳米尺度器件中涨落性和可靠性耦合的新现象及其对电路性能的影响，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。

科研成果

1、Ru Huang; Runsheng Wang; Ming Li,Characteristics of NBTI in Multi-gate FETs for Highly Scaled CMOS Technology, Temperature Instability for Devices and Circuits, Tibor Grasser, Springer, pp 643-659, 美国, 2014.

2、黄如; 李强; 蔡一茂; 刘业帆; 潘岳; 余牧溪,一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310717874.4.

3、黄如; 樊捷闻; 黎明; 杨远程; 宣浩然,制备准SOI源漏多栅器件的方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310696063.0.

4、黄如; 樊捷闻; 黎明; 杨远程; 宣浩然,制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310697719.0.

5、Pengpeng Ren; Peng Hao; Changze Liu; *Runsheng Wang; Xiaobo Jiang; Yingxin Qiu;*Ru Huang; Shaofeng Guo; Mulong Luo; Meng Li; Jianping Wang; Jingang Wu; Jinhua Liu; Weihai Bu……,New observations on complex RTN in scaled high-k/metal-gate MOSFETs–the role of defect coupling under DC/AC condition, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9-2013/12/11, pp 778-781, Washington, DC,USA, 2013/12/9, 口头报告.

6、Runsheng Wang; Mulong Luo; Shaofeng Guo;*Ru Huang; Changze Liu; Jibin Zou; Jianping Wang; Jingang Wu; Nuo Xu; Waisum Wong; Scott Yu; Hanming Wu; Shiuh-Wuu Lee; Yangyuan Wang,A unified approach for trap-aware device/circuit co-design in canoscale CMOS technology, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9-2013/12/11, pp 834-837, Washington, DC, 2013/12/9, 口头报告.

7、Fei Tan;*Ru Huang; *Xia An; Yimao Cai; Yue Pan; Weikang Wu; Hui Feng; Xing Zhang; YangYuan Wang,Investigation on the response of TaO –based resistive random-access memories to heavy-ion irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 60(6), pp 4520-4525, 2013/12.

8、*Ru Huang; Qianqian Huang; Chunlei Wu; Zhan Zhan; Yingxin Qiu; Jiaxin Wang; Yangyuan Wang,Steep-slope devices with mechanism engineering for steep switching and improved driving capability, International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2013/12/11-2013/12/12, p WP5-1, Maryland USA, 2013/12, 特邀报告.

9、Qianqian Huang;*Ru Huang; Yue Pan; Shenghu Tan; Yangyuan Wang,A novel resistive-gate field-effect transistor with 24.7mV/dec subthreshold slope based on a Resistive TiN/TaOx/Poly-Si Gate Stack, International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2013/12/11-2013/12/12, p WP9-48, Maryland, 2013/12, 墙报展示.

10、吴汉明; 宁先捷; 陈志豪; 赵宇航; 陈岚; 陈寿面;黄如; 康劲; 严晓浪; 刘庆炜; 黄威森; 张立夫; 叶甜春; 张兴; 张卫,超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化, 中华人民共和国国务院, 国家科学技术进步奖, 二等奖, 2013/12.

11、Runsheng Wang; Mulong Luo; Shaofeng Guo;*Ru Huang; Changze Liu; Jibin Zou; Jianping Wang; Jingang Wu; Nuo Xu; Waisum Wong; Scott Yu; Hanming Wu; Shiuh-Wuu Lee; Yangyuan Wang,A unified approach for trap-aware device/circuit co-design in canoscale CMOS technology, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),, 2013/12/9-2013/12/11, pp 834-837, 2013/12, 口头报告.

12、黄如; 余牧溪; 蔡一茂; 张镇星; 李强; 黎明,高一致性低功耗阻变存储器及制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310618361.8.

13、黄如; 余牧溪; 蔡一茂; 王宗巍; 刘业帆; 黎明,高一致性的阻变存储器结构及其制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310624918.9.

14、蔡一茂; 王宗巍; 黄如; 刘业帆; 余牧溪; 方亦陈,一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310596986.9.

15、黄如; 黄芊芊; 吴春蕾; 王佳鑫; 王阳元,一种三面源隧穿场效应晶体管及其制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310576433.7.

16、黄如; 黄芊芊; 吴春蕾; 王佳鑫; 王超; 王阳元,抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310571563.1.

17、HUANG Ru; HUANG Qianqian; ZHAN Zhan; Qiu Yingxin; WANG Yangyuan,SELF-ADAPTIVE COMPOSITE TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME(申请), 美国, United States Patent and Tradeark Office, 14/117,007.

18、黄如; 黄芊芊; 吴春蕾; 王佳鑫; 詹瞻; 王阳元,一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法(申请), 中国, 中国国家知识产权局, CN201310552567.5.

19、Xiaobo Jiang; *Runsheng Wang; Tao Yu; Jiang Chen;*Ru Huang,Investigations on line-edge roughness (LER) and line-width roughness (LWR) in nanoscale cmos technology: Part i-modeling and simulation method, IEEE Transactions on Electron Devices, 60(11), pp 3669-3675, 2013/11.

20、Li Wang; Xin Wang; Zitao Shi; Rui Ma; Jian Liu; Zhongyu Dong; Chen Zhang; Lin Lin; Hui Zhao; Lijie Zhang; *Albert Wang; Yuhua Cheng;Ru Huang,Dual-direction nanocrossbar array ESD protection structures, IEEE Electron Device Letters, 34(1), pp 111-113, 2013/11.

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