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BCD Technology and Cost Comparison 2020 ——逆向分析报告 购买该报告请联系： 麦姆斯咨询 王懿 电话：17898818163 电子邮箱：wangyi#memsconsulting.com（#换成@） 对15家全球领先的制造商的31款Bipolar-CMOS-DMOS技术（重点研究SOI高压器件）进行深入剖析和对比 据麦姆斯咨询介绍，Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展的重要模拟集成电路技术。经过三十多年的发展，BCD技术在特征尺寸缩小、高压器件的结构设计与优化、高低压隔离技术和金属互联的改进等方面取得巨大进步。 本报告对BCD器件的最新创新技术进行深入解读，展示了英飞凌（Infineon）、意法半导体（STMicroelectronics）、Elmos、博世（Bosch）、恩智浦（NXP）、IXYS、飞思卡尔（Freescale）、德州仪器（Texas Instruments）、凌特（Linear Technology）、亚德诺（Analog Devices）、美信（Maxim）/TowerJazz、电装（Denso）、瑞萨（Renesas）、丰田（Toyota）和东芝（Toshiba）等公司的31款产品之间的差异。 2020年发布的新报告版本新增了原有报告中的7家制造商的8种新技术，又添加了另外三家新制造商（IXYS、美信、东芝）。报告专注于200V至600V的高压技术，其中英飞凌的绝缘体上硅（SOI）解决方案为600V，IXYS为200V，东芝为500V。技术节点范围从2.5µm至90nm，器件范围从单片受控功率晶体管到具有高压模拟输入和输出的微控制器。 对于每款器件，本报告都详细说明了制造工艺和所用材料、芯片设计和技术选择。此外，报告还提供了使用各项技术的晶圆成本估算，突出了技术创新的影响。 本报告让读者可以了解主要BCD制造商的技术发展和制造成本，从而为在设计和集成工艺中进行优化选择奠定基础。报告侧重于技术分析，描述了创新对器件成本的影响，对主要参数、晶体管、金属层、绝缘和无源器件的技术和成本进行对比。 以下是报告样刊中英飞凌BCD器件部分内容展示，供参考： 晶体管-栅极氧化物 英飞凌SPT9特性：芯片分析 英飞凌SPT9晶体管（样刊模糊化） 英飞凌SPT9存储器（样刊模糊化） 英飞凌薄膜SOI晶体管（样刊模糊化） 报告目录： Overview/Introduction Executive Summary Technology Evolution · Transistors - Gate oxides - LDMOS and VDMOS - Summary · Insulation - LOCOS and STI - Deep trench isolation - Substrate SOI - Summary · Metal Layer Process - Aluminum and tungsten plug - Copper metal layer - Thick metal layer - Summary · Passives - Capacitors in polysilicon - Resistors in polysilicon - Metal insulator metal capacitor - Thin film resistors - Inductors - Summary · Shrink · High Voltage Foundry technologies · Infineon - Roadmap - SPT9 process - SMART6 process - Thin film SOI · STMicroelectronics: BCD6s, SOI-BCD6s, BCD8, BCD9, VIPower M0-3, VIPower M0-5, VIPower M0-7 · Elmos: BCD 0.8µm · Bosch: BCD6, BCD8 · NXP: A-BCD3, A-BCD9 · IXYS: BCDMOS on SOI High Voltage · Freescale: SMARTMOS8, SMARTMOS10 · ON Semiconductor · Texas Instruments: LBC5, LBC5-SOI, LBC8, LBC9 · Linear Technology: BCD 0.7µm · Analog devices: BCD0.5µm, BCD 0.18µm · Maxim/TowerJazz : BCD 0.4µm · Denso: SOI-BCD 0.8µm, SOI-BCD 0.5µm · Renesas: BCD0.15µm · Toyota: SOI-BCD 0.5µm · Toshiba: SOI High Voltage · Comparisons 若需要《BCD技术与成本对比分析-2020版》报告样刊，请发E-mail：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）。
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