论文链接 https://www./articles/s41586-020-2464-9 图1. Ni/LaN的电子和晶体结构。(a)氮空位(VN)的形成原理和相关的电子转移途径。(b)对于n缺陷La32N31,有(中)和没有(上)Ni负载,以及无缺陷Ni8/La32N32(下)的状态密度(DOS)。(c,d)Ni/LaN (c)和用VN (Ni/LaNV,d)预处理Ni/LaN区域的HAADF-STEM图像。(e) AES光谱的纯(黑色)和n缺陷(红色)Ni/LaN。 图2. Ni/LaN的催化活性。(a)在各种镍催化剂和纯LaN上的催化活性(蓝色,0.1 MPa;红色,0.9 MPa)和相应的氨合成出水NH3浓度(ENH3)。插图显示了Ni/LaN纳米颗粒(Ea = 57.5 kJ mol-1)和Ni/LaN大块催化剂(Ea = 60.4 kJ mol-1)上氨合成的Arrhenius图。(b)在Ni/LaN纳米粒子和Ni/LaN大块催化剂上合成氨的时间过程。 图3. 同位素对Ni/LaN的影响。(a,b)15N2和H2在新鲜Ni/LaN(a)和H2预处理Ni/LaNV(b)上合成氨的反应时间曲线。(c)m/z=17和m/z=18(上两条线),以及m/z=16和m/z=18(下两条线)的a和b的强度比值反应时间分布图。(d)在20 kPa和400°C条件下,Ni/LaNV和Ni/C12A7:e-催化剂上的N2同位素交换反应速率(15N2:14N2 = 1:4)。插图显示了Ni/LaNV (Ea=144.1 kJ mol-1)上N2同位素交换的Arrhenius图。(e)在纯H2条件下,Ni/LaN上产生的累积氨量与反应时间有关。附图为反应后Ni/LaN的XRD图谱。(f)Ni/LaN(红色)和无负载LaN(蓝色)的H2程序升温还原剖图。 图4. 用DFT研究了Ni/LaN合成氨的反应路径。给出了在Ni/LaN表面合成氨的反应机理。中心图显示了计算出的能量分布图。在反应循环的外围显示了关键基本步骤(I-XII)的中间产物和过渡态的结构。0.54 eV表示NH3形成的总能垒。 |
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