【原】光刻胶紫外正性光刻胶/光刻胶紫外负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶-齐岳

光刻胶紫外正性光刻胶/光刻胶紫外负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶-齐岳

光刻胶分类总结

在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”，光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。下图展示了光刻胶如何在一个NMOS三极管的制造工艺中发挥作用。NMOS三级管是半导体制程工艺中常用的集成电路结构之一。

一种 NMOS 三极管集成电路结构的制造过程

在这样一个典型例子中，步骤1中的绿色部分代表红色部分多晶硅材料被涂上了一层光刻胶。在步骤2的光刻曝光过程中，黑色的掩膜遮挡范围之外的光刻胶被都被光刻光源照射，发生了化学性质的改变，在步骤3中表现为变成了墨绿色。在步骤4里，经过显影之后，红色表征的多晶硅材料上方只有之前被光罩遮挡的地方留下了光刻胶材料。

于是，光罩（掩模版）上的图形就被转移到了多晶硅材料上，完成了“光刻”的过程。在此后的步骤5到步骤7里，基于“光刻”过程在多晶硅材料上留下的光刻胶图形，“多晶硅层刻蚀”、“光刻胶清洗”和“N+离子注入”工艺共同完成了一个NMOS 三极管的构造。

上图步骤1中的光刻胶涂胶过程也是一种重要的半导体工艺。其目的就是在晶圆表面建立轻薄，均匀且没有缺陷的光刻胶膜。一般来说，光刻胶膜厚度从0.5um到1.5um 不等，厚度的误差需要在正负0.01um以内。半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。

静态旋转法涂胶过程示意图

静态旋转法：先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中心，然后低速旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。这个过程可以如图表16中所示。静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键，量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片，量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积甚至流到硅片的背面，影响工艺质量。

格与不合格的静态涂胶过程示意图

动态喷洒法：随着硅片尺寸越来越大，静态涂胶已经不能满足新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言，动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行初的扩散。这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展，终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。

1-丙烯酸金刚烷酯121601-93-2

1-金刚烷基甲基丙烯酸酯16887-36-8

丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯7398-56-3

4-乙酰氧基苯乙烯2628-16-2

1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯216581-76-9

2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯249562-06-9

2-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯303186-14-3

1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯81665-82-9

2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯254900-07-7

甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯34759-34-7

2-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯297156-50-4

2-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯251564-67-7

gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯130224-95-2

N-异丙基甲基丙烯酰胺13749-61-6

(9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯583036-99-1

(5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯156938-09-9

1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯266308-58-1

1-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯811440-77-4

2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯31480-93-0

n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate170216-64-5

2-(溴甲基)丙烯酸甲酯4224-69-5

甲基丙烯酸-9-蒽甲酯31645-35-9

2-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[347886-81-1

2-乙烯基萘827-54-3

2-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯186585-56-8

2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯195000-66-9

丙烯酸甲基环戊酯178889-49-1

丙烯酸1-乙基环戊酯326925-69-3

2-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯328249-37-2

4-叔丁氧基苯乙烯95418-58-9

4-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸69260-42-0

甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯13695-31-3

3-(4-vinylphenyloxy)-1-propene16215-47-7

acetic acid,4-ethenylbenzene-1,2-diol57142-64-0

1-(1-乙氧基乙氧基)-4-乙烯基苯157057-20-0

1-甲基环己基甲基丙烯酸酯76392-14-8

2-氧代-2-(2,2,3,3,3-五氟丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯1176273-16-7

2,5-二甲基己烷-2,5-二基双(2-甲基丙烯酸酯)131787-39-8

1-甲基环戊基甲基丙烯酸酯178889-45-7

1-乙基环己基甲基丙烯酸酯274248-09-8

4-异丙基苯酚4286-23-1

(2-oxo-1,3-dioxolan-4-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate13818-44-5

乙酸-2-乙烯基苯基酯63600-35-1

2-(金刚烷-1-基)丁-2-基甲基丙烯酸酯325991-26-2

1-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate51920-52-6

甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基酯15895-80-4

oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate52858-59-0

6-methacryloyl-6-azabicyclo[3.2.0]heptan-7-one1267624-16-7

3-叔丁氧基苯乙烯105612-79-1

2-丙烯酸3-(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙基酯13732-00-8

2,3-二羟基丙烯酸丙酯10095-20-2

2-[(4-乙烯基苯氧基)甲基]环氧乙烷2653-39-6

3,5-二乙酰氧基苯乙烯155222-48-3

2-(2,2-二氟乙烯基)双环[2.2.1]庚烷123455-94-7

二苯基碘酰氯1483-72-3

双［4-(1,1-二甲基乙基)苯基］碘鎓与三氟甲磺酸的盐84563-54-2

全氟丁基磺酸三苯基锍盐144317-44-2

双(4-叔丁基苯基)氯化碘鎓5421-53-4

TBPDPS-PFBS258872-05-8

1二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐194999-85-4

(4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸111281-12-0

N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸85342-62-7

厚胶 Thick ResistSU-8 GM10xx系列g/h/i-Line负性0.1um0.1-200具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。

SU-8 Microchemg/h/i-Line负性0.5um0.5-650具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。

g/h/i-Line正性1um1—30可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。

NR26-25000Pg/h/i-Line负性20-130厚度大，相对容易去胶。

电子束光刻胶型号光源类型分辨率厚度（um)适用范围

SU-8 GM1010电子束负性100nm0.1-0.2可用于做高宽比较大的纳米结构。

HSQ电子束负性6nm30nm~180nm分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。

XR-1541-002/004/006

HSQ Fox-15/16电子束负性100nm350nm~810nm分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。

PMMA(国产)电子束正性\\高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。

PMMA（进口）电子束正性\\MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。

薄胶型号光源类型分辨率厚度（um)适用范围

S18xx系列g-Line正性0.5um0.4-3.5较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定可靠。

SPR955系列i-Line正性0.35um0.7-1.6进口高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定可靠。

BCI-3511i-Line正性0.35um0.5-2国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。

NRD6015248nm负性0.2um0.7-1.3国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。

Lift off光刻胶型号光源类型分辨率厚度（μm)适用范围

KXN5735-LOg/h/i-Line负性4μm2.2-5.2负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。

LOL2000/3000g/h/i-Line/NA130nm-300nm非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。

ROL-7133g/h/i-Line/4um2.8-4负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。

光刻胶配套试剂品名主要成分包装应用//

正胶显影液TMAH 2.38%4LR/PC正胶显影液//

正胶稀释剂PGMEA4LR/PC稀释剂//

SU8 显影液PGMEA4L/PC显影SU8光刻胶//

RD-HMDSHMDS500ml/PC增粘剂//

OMNICOAT见MSDS500ml/PCSU-8增粘剂//

wyf 01.26