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TOPCON 电池主要分 LPCVD，PECVD，PVD 三种路线，步骤在 12 步左右。 制绒（捷佳伟创，金舟）。 硼扩（拉普拉斯做的最好，北方华创，捷佳伟创也会做），背面碱抛光（捷佳伟创，金 舟）。 背面隧穿氧化层和多晶硅层沉积（LPCVD，PECVD，PVD 三种路线），LPCVD 先通过热氧 化方式长 1-1.5nm 的遂穿氧化层，再长本征非晶硅层，结合磷扩散，形成掺杂多晶硅层。PECVD 先用 PECVD 方式长 1-1.5nm 的遂穿氧化层，再长掺杂非晶硅层，厚度约为 100-150nm 之间。 PVD 方式和 PECVD 差不多。LPCVD 做的最好的是拉普拉斯，PECVD 做的比较好的是捷佳伟创 和红太阳两家，北方华创和金辰其次，红太阳的设备在通威，晶澳，中来都有在试用 demo 机，PEALD 微导在做，由于隧穿氧化层通过有机硅的方式实现生长，成本会更高，PEALD 这 条路线未来不会选择。PVD 中来在做。 退火，让掺杂非晶硅层晶华，形成掺杂多晶硅。磷从非激活态变成激活态 刻蚀清洗，链式设备把表面 PSG 去掉，再通过碱刻蚀把正面绕镀的多晶硅去掉，然后 做槽式清洗，把正面的 BSG 掩膜，背面 PSG 掩膜去掉（捷佳伟创，金舟等） 正面氧化铝钝化，管式 ALD（捷佳，微导）或板式 ALD（理想）。 正背面氮化硅钝化，管式 PECVD（捷佳，红太阳） 丝网印刷，在正背面形成金属化电极（迈为，科隆威，捷佳伟创） 电注入或光注入（迈为，奥特维，科隆威） 测试分选（迈为等） 投资者问答环节： Q：TOPCON 电池价格 A：TOPCON 电池溢价在 0.1 元/W，PERC 电池 1.3 元/W，TOPCON 电池 1.4 元/W。组件端 TOPCON 组件比 PERC 组件高 0.1 元/W 的溢价。 Q：TOPCON 降本 A：TOPCON 成本比 TOPCON 高 0.04 元/W。PECVD 与 LPCVD 相比，成本会低 0.01 元/W，成 本优势主要在石英件耗材较少节省0.005元/W，设备投资较低，PECVD加退火的方式比LPCVD 本征加磷扩的方式节省 0.007 元-0.008 元/W。其次是金属化，目前 TOPCON 量产银浆耗量在 14-16mg/W 的水平，晶科目前 182 整片在 14mg/W 的银耗，未来可以通过网板优化，浆料 优化降低银耗，银浆耗量有望做到 9-10mg/W，目前 PERC 是 8-9mg/W。硅片目前用 150， 160 微米的厚度，明年应该能做到 140 微米，再往薄做会很难。设备投资目前 1.5-1.7 亿/GW， TOPCON 技术路线掌握在电池厂手里，比 PERC 高 4000-5000 万，未来还有持续降本的空间， 去年是 1.9 亿/GW，降幅较大。 Q：TOPCON 效率提升 A：激光 SE，导入 SE 需要增加激光 SE 设备投入，目前可以提效 0.2%，后期做到 0.3-0.4%的 效率提升还是有可能的。背面 POLY 硅厚度优化，浆料改进，硅片质量改善等都有可能提升， 今年晶科量产做到 24.8-24.9%没问题，明年量产在在年底做到 25.5%以上没问题 Q：TOPCON 良率 A：晶科可以做到 98%以上的良率，晶科卡的不严，通威卡的严，行业良率在 96%左右，比 PERC 低 2-3%，还有很大的提升空间。 Q：TOPCON 后续落地产能和扩产节奏 A：今年 80GW 有点难，60GW 没问题。晶科已经有 16GW，还有 8GW，总计 24GW。中来 一期 4GW 加泰州 3.6GW，接近 8GW。天合宿迁有 8GW 要投，晶澳已经有 1.3GW，6GW 在 招标，一道有 6GW，钧达有 8GW，阿特斯有 6GW。这两年的规划（2024 年之前）已经超 过 160GW。 Q：TOPCON 组件价格 A：PERC 在 1.9-2.0 元之间，TOPCON 在 2.06-2.10 之间，HJT 比 TOPCON 略高一点在 2.10 元 /W 以上。HJT 和 TOPCON 之间效率差不多，组件功率高 4-5W，没什么溢价。 Q：HJT 情况 A：银耗在 23-25mg/W，目前研发做到 20mg/W，比 TOPCON12mg/W 还高很多。硅片 130 微米硅片没问题，但如果再往下做明年也不一定乐观。设备投资上正背面改微晶可以提 0.7-0.8%的效率，比 TOPCON 会有 0.5%的效率优势，到明年底 HJT 中试可能还会有 26%的效 率出现。银包铜到今年年底有可能上，但薄片化有碎片率高的问题，激光转印技术也没有这 么快，还需要持续降本。150 微米 HJT 良率在 99%以上，130 微米 HJT 良率在 98%以上接近 99%。今年年底之前做到 130 微米没什么问题。但 120 微米以下碎片率会高很多，后面会上 但没那么快，今年比较难。 Q：PE-POLY 路线能否成为主流 A：晶科 20 多 GW 全是 LPCVD 路线，一道也是 LPCVD 路线，捷泰一期 8GW 选择 LPCVD，二 期 8GW 可能会选择 PECVD，LPCVD 是比较稳妥的方案，后期下单比较多的通威 8GW，天合 8GW，润阳 10GW 改造，晶澳 1.3GW+6GW 招标都是 PECVD，但 PECVD 没有大规模跑片不知 道是不是有问题。但PECVD原位掺杂的方式可以把POLY做薄，均匀性，掺杂浓度相比于LPCVD 有优势，效率会较高，此外 PECVD 的产能 6 管可以做到 6800 片/h 的产能，比 LPCVD4000 片/h 的产能大很多，另外 PECVD 用的是石墨舟不存在石英舟损耗的问题。后面投的公司主 要还是看重 PECVD 的成本优势，目前天合可以做到和 LP 持平，其他家做 PECVD 路线效率比 LPCVD 也会稍差一些。目前落地的产能 LP 和 PE 是 64 开，未来 PE 路线会更乐观。 Q：硼扩 SE A：目前 SE 晶科在做，其他几家都没在做，不知道晶科进展如何，效率有 0.2%的提升，良 率未知。对应价值量 2500 万/GW，费用较大，技术也不是很成熟，目前投产不太会上这个 技术路线。当前的经济性不高。 Q：激光设备厂商 A：和帝尔合作做激光 SE，目前无进展，直掺很难做，如果做二次掺杂难度不大。 Q：PEALD 与 PECVD 比较 A：PEALD 用有机硅为原材料比 PECVD 用笑气更高，均匀性两者差不多，通威以前 1GW 都 用 PEALD，现在全部改为 PECVD，尚德也用了 2GW 的 PEALD 设备，专家的公司以前用 PEALD 但现在也改用 PECVD，未来 PEALD 没有优势 Q：PVD 的优缺点 A：优点是无绕镀，产能更大，良率更高。缺点是机台开机率低，需要经常维护，此外效率 较低（中来实际量产效率 24.3%），设备投资成本更多，占地面积更大。PVD 为了防止背面 边缘不漏电有 0.7-0.8mm 不做钝化，效率会有所损失，其次 PVD 轰击会有损伤，钝化会更 差，效率有所损伤。目前 PVD 只有中来在用，但如果 TOPCON 电池可以做薄，PVD 方式会 更有优势。 Q：钙钛矿 A：三四年内看不到，钙钛矿处在很早的阶段，目前稳定性，光衰，紫外线分解等问题都没 有得到解决，真正大规模量产还很早。后期可能晶硅电池和钙钛矿电池做叠层，但没这么快。 Q：HJT 超过 TOPCON A：至少要过两年左右，需要用电镀铜，银包铜等新技术把成本将下来，从今明两年来看， 成本还是很难往下降。从叠层电池来看 HJT 和钙钛矿都是低温制程相比 TOPCON 会更容易。 Q：细栅线 A：TOPCON 正面细栅线宽 25 微米左右，HJT 在 35 微米左右，用钢板印刷 HJT 可以做到 27 微米线宽，TOPCON 可以做到 20 微米 |
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