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MOS管，又叫绝缘栅型场效应管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件。其特点是栅极（G）的内阻极高。场效应管分为P型和N型，P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因，已经逐渐被NMOS所取代。 同时，我们知道，MOS管还分为耗尽型和增强型，在实际工程中。我们使用的只有增强型P/NMOS，因为我们肯定不希望一开始就有一个漏极电流。
寄生二极管 由于mos管本身的结构，使得源极和漏极之间会存在一个寄生二极管，其方向的判断方法是，NMOS从源极指向漏极，PMOS反之。寄生二极管能够防止VDD过大时击穿MOS管（寄生二极管会率先击穿从而把大电压短路到地），也可以防止DS反接。（如上图） GS寄生电容，并联电容和并联电阻
寄生电容：mos真正模型中，各个极之间都存在寄生电容，但是我们最关心的莫过于GS之间的寄生电容Cgs，它会**影响开关速度**。我们可以轻易地想到，瞬时电流越大，我们就能越快地充满Cgs，也就能越快地打开mos管。 并联电容C1：①电容的增加使得开启时间变长，增加了开通损耗。原因：电容缓慢充电，所以开得慢。 ②电容的增加，使得门极电压的高频震荡减少。同时，由于米勒平台的振荡减小，MOSFET在米勒平台期间的损耗也会相应减小。
“这个我知道，该电容在H桥低侧的MOS上能起到作用。是因为大功率情况下，高端MOS开启的时候，下管G极信号虽然是关断的，但是由于DG之间电容的作用，会耦合进来一个比较小的尖峰信号，当幅值超过比如5V后，就会将该MOS误开启，时间够长的话，将会导致MOS烧毁，桥臂直通。 加上这个GS之间的电容后，由于相对于DG之间的寄生电容，值较大，所以很难在G极再形成可观的误开启信号了，使得电路稳定性增强。 但是同时导致MOS充电变慢，对充电电流要求更高了，所以需要综合权衡。” 并联电阻R1：由于Cgs的存在，少量的静电就可以在GS之间产生巨大的电压，这个电压是非常具有破坏性的，这时候通过Rgs就可以把上面的电荷放掉，保护管子。同时它也提供偏置电压。 因为MOS管栅极高输入阻抗的特性（对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响），一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗，防止误导通。 栅极电阻/阻尼电阻
1.消除栅极振荡。因为驱动的走线会有很强的寄生电感（电磁感应），加之之前说过，GS之间有一个寄生电容，整体呈现容性，所以他们会形成一个LC谐振电路，在外部激励信号的影响下发生严重的震荡，我们串联一个电阻可以降低其Q值，使之迅速衰减。 2.转移驱动器的功率损耗。电容和电感只会存储能量而不会消耗能量，如果不串接一个电阻，那么驱动器的功率大部分会消耗在其内部，使其温度上升很多，而无法传达到开关管上。 3.调节功率开关管的开关速度。如果栅极电阻太大，那么开关速度会显著降低，这显然不是我们想要的。但是如果栅极电阻太小，那么高开关速度带来的是很大的电流电压变化率，也就意味着强烈的干扰，因此必须统筹兼顾。 接1：寄生电容Cgs和寄生电感相互作用会产生一个高频振荡信号，如下图：（Vgs波形）
那么如何计算这个电阻值呢？ Ciss可以由参数表得到，f由开启关断时间计算 栅极二极管
调整这个可以调节MOS管的打开和关断的速度。 上二极管在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。 下二极管的作用是避免上桥快速开通时下桥的栅极电压耦合上升（Cdv/dt）而导致上下桥穿通的现象。 接地电容
主要是系统中提供瞬间电荷，抑制电流纹波和电压尖峰（寄生电感导致的) 因为低值电容器可以快速提供一些电荷，而高值电容器可以提供大量电荷，随时间充电，有助于减少系统中的电压振铃和电压尖峰 从漏极到源极的电容
选择约0.01uF-1uF的值，并将其尽可能靠近FET，以确保正确工作 由于采样电阻的布局，可能GND会引入寄生电感，导致不良接地，去耦电容就无法稳定的提供电荷，而这个电容就可以解决这个问题，直接连接到BAT+，和低压侧节点，采用交流接地的概念。 自举升压电路/自举储能电容
电解电容和二极管构成自举升压电路 作用：抬高G点电位，保持MOS管导通 电容器在高压侧开关驱动器上形成浮动电源，在需要开通高压侧开关管时给开关管供给驱动能量或驱动功率。 那么如何计算这个电容呢？
这里，Qg是我们驱动浮动MOSFET或高边MOSFET的门极总电荷量；△U是电容两端电压的变化量，我们知道这个电压越稳定，意味着驱动电压越稳定，保持一定的驱动电压意味着如MOSFET在稳定的饱和区，功率损耗越小。 常规情况下，在电容已经被充电稳定的情况下，保持电容电压的变化或波动量在100mV到300mV是我们能够接受的，这个值也就就是电容电压的纹波大小。假如门极电荷量是10nC（驱动电压是10V的情况下），我们要求驱动过程中，自举电容的电压变化量最大是100mV，那么自举电容则为：
实际中，这个电容我们通常要求采用低ESR的陶瓷电容，以便提供高质量的驱动能量，而大小则需要取值为计算值的3至5倍，这是因为电容本身会存在一定的偏差，陶瓷电容在直流偏置下容量衰减的比较厉害，即使你只使用它额定电压的50%或更低，尤其是非C0G材质的陶瓷电容。 而我们常用的小功率DC-DC更是会给出一个典型的自举电容，比如100nF或10nF，这个值往往都是大于计算值的，我们采用推荐值，因为这些DC-DC的MOSFET内置，多数情况下，我们无法得知这个MOSFET的特性，所以采用它们给的推荐值。
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