喷墨印刷量子点发光二极管（QLED）被认为是用于全彩显示器的理想候选。然而，由于量子点的光学性能较差，使用喷墨打印技术制备环保型蓝色InP基QLED仍然具有相当大的挑战性。在此，上海交通大学和福州大学的研究人员提出了使用蓝色InP/ZnS/ZnS量子点作为发射层来产生具有高颜色纯度的喷墨打印QLED的一种有效方法。实验上采用两步加热和厚壳策略制备蓝色InP/ZnS/ZnS量子点，其光致发光（PL）峰位于465nm，半峰宽度为38 nm，PL量子产率（QY）为~96%，这是蓝色InP量子点的记录。作者使用了两种锌前体来促进壳层生长，而工程化的壳层厚度抑制了能量传递，使InP/ZnS/ZnS QDs膜具有高PLQY，有助于QLED的高效喷墨打印。这些结果可以促进用于大面积电致发光全彩显示器的蓝色InP
QLED的开发。相关论文以题目为“Inkjet-printed
blue InP/ZnS/ZnS quantum dot light-emitting diodes”发表在Chemical Engineering Journal 期刊上。https://www./science/article/pii/S1385894722038967 量子点发光二极管（QLED）由于其低能耗、高色纯度、可靠性和优异的灵活性，被认为是下一代显示器的理想候选者。自1994年第一个QLED发明以来，报道了QLED的外部量子效率（EQE）超过20%（被视为理论极限）。然而，大多数以前的工作都是基于CdSe量子点。由于镉的化学毒性，大多数发达国家禁止在消费电子产品中使用镉基化合物，这限制了其应用和利用潜力。关于无镉量子点，InP量子点因其相对较高的光致发光量子产率（PLQY）和较大的玻尔半径（~10
nm）而备受关注，通过尺寸控制实现了可见光到近红外范围内的优异颜色调谐。尽管在优化高质量InP量子点的制备方面取得了重大进展，蓝色InP/ZnS量子点的最高PLQY仅为76%。尽管含Ga的蓝色InP量子点显示出更高的PLQY（超过80%），但其半峰全宽（FWHM）值比45 nm宽。由于InP的体带隙相对较低（1.35eV），为了生成蓝色InP量子点，InP核的尺寸应超小（小于2nm），这使得在成核/生长和有效脱壳阶段对其合成的控制不合理。非均匀的尺寸分布和表面缺陷是InP
QD宽FWHM和低PLQY的基础。迄今为止，制备具有窄FWHM（小于40nm）和高PLQY（>90%）的蓝色发光InP量子点一直是一项挑战。在这里，作者报道了第一种使用蓝色InP/ZnS/ZnS量子点作为发射层的高效高色纯度喷墨打印QLED。通过使用这种喷墨打印技术，像素化的蓝色InP QLED具有472nm的电致发光（EL）发射波长峰值、43nm的半峰宽、91cdm−2的最大亮度和0.15%的EQE。（文：爱新觉罗星）图3.InP/ZnS和InP/ZnS/ZnS量子点的比较。图4.由蓝色InP QD生成的喷墨打印QLED的性能。
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