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烟酰胺——美白抗衰的肌肤秘籍

 昵称62717312 2024-05-18 发布于河北
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随着美容科技的不断进步,越来越多的成分被发现具有令人惊叹的护肤功效。而烟酰胺,正是其中备受瞩目的一员。首先,让我们来了解一下烟酰胺。

烟酰胺(nicotinamide;niacinamide),又称尼克酰胺,是烟酸的酰胺化合物。为白色的结晶性粉末,无臭或几乎无臭,味苦,略有引湿性。在水或乙醇中易溶,在甘油中溶解。

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那么,烟酰胺究竟有哪些令人惊喜的功效呢?


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美白淡斑

5%高浓度烟酰胺能到达肌肤基底层,从根源抑制黑色素的产生,以及阻拦黑色素的运转,加速色素脱落,进而达到美白淡斑的效果。

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抗衰老

烟酰胺可以促进表皮层蛋白质的合成,促进细胞结构更好的构建,刺激皮肤新的细胞快速生成,这样新生细胞的肌肤可以获得更多的胶原蛋白,使皮肤更饱满紧致、细腻嫩滑,有助于减少皱纹和细纹的出现,提升肌肤的弹性。

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控油袪痘 

2%浓度的烟酰胺,可以减少肌肤分泌脂肪酸和甘油三酯,达到控制油脂分泌的效果,以及缩小毛孔的同时,对油性肌肤和痘痘问题有一定的改善作用。

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为了进一步证实烟酰胺的功效,我们可以参考一些相关的文献。众多科学研究都对烟酰胺进行了深入探讨,而多项临床试验也表明,烟酰胺在美白、抗衰老和改善肌肤状况方面确实具有显著的效果。我们此次以抗衰作用为例,看看具体的效果吧。

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烟酰胺 (NAM) 是一种NAM腺嘌呤二核苷酸前体,因其对皮肤健康的益处而闻名。在标准培养条件下,NAM可延迟人原代角质形成细胞的分化并增强其增殖,从而维持干细胞的状态。这可能有助于其对自然衰老的有益影响。

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除了自然老化之外,人类皮肤还会因日常阳光照射而遭受累积损伤,导致慢性炎症、氧化应激和光老化。尽管内在和外在衰老中的真皮改变已被广泛研究,但对表皮中的改变知之甚少。严重的光老化涉及形态变化,包括整体表皮变薄和网脊变平并伴有角化过度,这可能是由于脱皮减少、基础人类角质形成细胞(KC)增殖减少和干细胞损失所致。在分子水平上,阳光会诱导直接DNA 损伤和氧化应激,进而通过光敏反应放大细胞损伤。

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在这项研究中,实验使用二维 (2D) 培养物和器官型(3D)表皮模型来证明NAM促进DNA修复,同时维持能量代谢,从而防止暴露于UVB或氧化应激的HPK加速分化和过早衰老。其研究结果为NAM的抗光老化特性提供了进一步的机制见解。

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NAM可防止3D器官型和2D HPK培养物中UVB诱导的过早晚期分化

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将成熟的3D器官型表皮培养物暴露于25mJ/cm2UVB后,Ki-67(细胞核增殖抗原;细胞增殖相关抗原;增殖细胞核抗原标记物)和角蛋白10(K10)蛋白表达水平未改变。(图a)


相反,随着表达这两种蛋白质的上颗粒层增厚,丝聚蛋白FLG和兜甲蛋白的水平增加NAM治疗防止了这种现象,保留了上皮的整体表皮结构。

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根据3D研究结果,在25mJ/cm2UVB照射3天后,在2D培养物中诱导晚期分化标记物,并与NAM一起孵育1天或3天,以时间依赖性的方式抑制其蛋白质和mRNA水平的表达。(图b-d)

NAM治疗3天后,根据测试的实验/标记,观察到30-90%的抑制。尽管检测到UVB照射后3D器官型中Ki-67的表达没有显著下降(图b),但25mJ/cm2导致2D培养中几乎完全停止HPK(人原代角质形成细胞增殖)和Ki-67缺失,而NAM处理以时间依赖性方式部分阻止了这一情况。然而,NAM处理的细胞,包括Ki-67阳性细胞,在照射后仍然比对照细胞显得更大、更扁平。(图b )

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NAM可防止3D和2D HPK培养物中UVB照射后的衰老
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为了研究NAM保护HPK免受UVB照射后过早衰老的能力,将器官培养物暴露于高 (50-200mJ/cm2) 或低 (25-50mJ/ cm2) 剂量的 UVB


在没有UVB照射的情况下,已知在衰老细胞中降低的核层蛋白B1 (LMNB1)水平,在基底层(k10阴性)比在上基底层/上层(k10阳性)大约高2倍,这表明衰老通常发生在上层分化层。而基底层仅在>50mJ/cm2剂量下显著。重要的是,在100mJ/cm2的剂量下,NAM治疗维持了所有层中LMNB1的表达

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图c:由于NAM不会增加未照射UVB细胞中LMNB1的表达,因此NAM的积极作用似乎是针对应激细胞的。对于所有高剂量和低剂量,整个上皮的每个视野的细胞总数均因照射而显著减少而在UVB剂量高达100mJ/cm2时,NAM可部分阻止这一减少


图d:脂褐素的SenTraGor (GL13) 标记证实了NAM在3D模型中对衰老的抑制作用脂褐素是一种最近描述的衰老生物标志物,可对由高度氧化的分子组成的聚集体进行染色。UVB照射的HPK中存在阳性染色的棕色颗粒,并且在100和200mJ/cm2下均检测到NAM的保护作用。此外,在100mJ/cm2UVB照射后,与衰老相关的分泌表型蛋白IL-6和IL-8在培养基中积累,并在24小时达到峰值,然后水平开始下降NAM有效地减轻了它们的分泌,48小时后IL-6降低至基础水平,IL-8水平降低30%

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过氧化氢处理模拟2D和3D HPK培养物中的UVB暴露,NAM可以预防这种影响
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由于作为氧化应激反应的一部分,紫外线照射导致过氧化氢水平的显著增加,实验检测了过氧化氢(H2O2) (ROS前体)处理的能力,以模拟UVB照射诱导的HPK(人原代角质形成细胞增殖)表型。

在用63和125mM H2O2处理的3D培养物中观察到表皮变薄。总体变薄导致该层现在占据上皮的大约50%。(图a)

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低剂量UVB照射后观察到,H2O2对基底层LMNB1表达没有显著影响。(图b和c)

用63mM H2O2和NAM处理导致核纤层蛋白水平显著高于仅用H2O2处理的细胞,

这与低剂量UVB照射和NAM处理后观察到的表型相似。对于这两种浓度,

H2O2处理从而再现了用100mJ/cm2 UVB处理后观察到的表型。 

2D培养物的RNA分析显示,H2O2处理后5天,聚丝蛋白和外皮蛋白的诱导呈强烈的剂量依赖性,在63mM H2O2后被NAM显著抑制,而在125mM H2O2后效果仅为部分(图d) H2O2对衰老的剂量依赖性诱导表现为LMNB1 mRNA水平的降低(图 e)和衰老相关的β半乳糖苷酶活性的增加,而NAM治疗可以部分阻止这种情况。


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NAM改善UVB和H2O2引起的能量代谢缺陷
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然后实验研究了UVB调节细胞代谢的能力以及NAM的潜在保护作用。为此使用Seahorse分析仪在UVB照射后24小时实时测量OXPHOS(耗氧率 [OCR])和糖酵解(细胞外酸化率 [ECAR] )。


尽管基础呼吸并未受到UVB的显著调节,但观察到备用呼吸能力有所下降,而NAM则恢复了这种能力(图a)。相反,糖酵解水平没有变化,并且不受NAM处理的影响(图b)。

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众所周知, H2O2通过将能量代谢转向氧化戊糖磷酸途径产生ROS清除剂NAM腺嘌呤二核苷酸磷酸 (NADPH),从而引起OXPHOS和糖酵解的减少 。


单独的H2O2会引起糖酵解和OXPHOS的下降,并且细胞在2小时的实验持续时间内没有恢复(图5c和d)。NAM与H2O2共注射,30分钟和1小时后另外注射两次NAM导致类似的初始代谢下降,但糖酵解以NAM剂量依赖性方式恢复,在最高NAM剂量下达到初始基础活性的约50% (图c)。

 同样,将NAM与H2O2共同注射,然后再注射两次H2O2 ,可在第二次和第三次H2O2注射后NAM有效保护糖酵解(图e)。

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NAM改善UVB照射后2D HPK培养物中的DNA修复
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正如预期的那样,2D培养物中的 CPD(环丁烷嘧啶二聚体) 染色在UVB照射后立即增加,表明 DNA损伤(图 a)。值得注意的是,尽管48小时后对照细胞中的CPD得到部分解决(UVB样品减少了74%),但通过CPD水平的进一步下降获得了NAM显着增强DNA修复的证据,总体减少了 85%(图 b)。这些结果表明,NAM处理提高了 UVB暴露后DNA修复的效率

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END
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白云美湾医颜国际化妆品研究院

作者:彭咏恩

编辑:倪乐欢

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