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【Wire Bond】键合劈刀选型之Capillary热超声键合是在超声波键合的基础上,采用对产品加热的方式,加强了原子相互扩散和分子间作用力,实现引线的高质量焊接。而实现键合中最重要的一个工具之一就是劈刀，劈刀主要分为毛细管劈刀和楔形劈刀。Capillary一般是指陶瓷劈刀（毛细管劈刀），它是键合工艺中最核心的一个Bonding Tool。 阅4 转0 评0 公众公开 24-04-03 09:23 |
【Wire Bond】键合劈刀选型之Capillary热超声键合是在超声波键合的基础上,采用对产品加热的方式,加强了原子相互扩散和分子间作用力,实现引线的高质量焊接。而实现键合中最重要的一个工具之一就是劈刀，劈刀主要分为毛细管劈刀和楔形劈刀。Capillary一般是指陶瓷劈刀（毛细管劈刀），它是键合工艺中最核心的一个Bonding Tool。 阅14 转1 评0 公众公开 24-04-02 08:59 |
虽然理论上讲，中介层中可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互联时，TSV几乎是不可缺少的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。HBM使用了3D TSV和2.5D TSV技术，通过3D TSV把多块内存芯片堆叠在一起，并使用2.5D TSV技术把堆叠内存芯片和GPU在Interposer上实现互连。HMC（Hybrid Memory Cube）混合存储立方体，和HBM结构非常相似，HMC通过3D... 阅14 转0 评0 公众公开 24-01-24 09:31 |
混合键合堆叠和连接芯片使用微型铜到铜互连，提供比现有芯片堆叠互连方案更高的密度和带宽。英特尔高级首席工程师 Adel Elsherbini在 IEDM 的一次演讲中说：“一些芯片可能存在制造缺陷，这些缺陷最好在测试期间被筛选出来。”“但是，如果测试覆盖率不是100%，则其中一些芯片可能会作为良好芯片通过测试。这是一个特殊的挑战。有缺陷的芯片可... 阅14 转1 评0 公众公开 23-01-27 09:45 |
液晶面板厂商涉足面板级芯片封装领域引起玻璃基板配套厂商的高度关注。旧线转型 屏厂探索板级封装出路与封装厂、载板厂不同，液晶面板厂商涌入面板级芯片封装领域主要是为低世代液晶面板产线寻找出路。多位行业人士表示，面板厂商涉足面板级封装不仅可以盘活低世代液晶面板产线部分设备，充分利用现有的研发人员，还有机会进军不断成长的芯片封... 阅5 转0 评0 公众公开 22-08-30 22:23 |
颠覆先进封装，光芯片走向Chiplet.总结就是，Lightmatter 希望通过 Passage 打破高级封装和 IO 的限制。Lightmatter 不想将硅放在硅上，而是希望通过 Passage 颠覆先进的封装游戏。Passage 连接到光学中介层上的 48 个客户芯片。Passage 的交换和路由在 48 芯片阵列上的任何芯片与任何其他芯片之间的最大延迟为 2ns。Lightmatter 的晶圆级硅光... 阅96 转0 评0 公众公开 22-08-24 09:40 |
Chiplet的光刻成本可能更高？如果假设每个晶圆的成本为17000美元，那么单片无缺陷硅芯片的成本为567美元，而Chiplet MCM每个无缺陷硅芯片的成本为215美元，而两个则为430美元。光刻占加工晶圆成本的近1/3。如果使用完整的26mmx33mm掩模版，则光刻工具以最少的步骤数跨过300mm晶圆，12个掩模版区域宽和10个掩模版区域高。当比较单晶圆上的25mmx3... 阅45 转0 评0 公众公开 22-06-20 19:55 |
Die到wafer的键合，更进一步。CEA-Leti 的 3D 集成项目经理 Emilie Bourjot 说：“采用 D2W 自组装的商业规模吞吐量提出了与芯片处理相关的两个主要挑战。” “如果将自组装过程与取放工具相结合，则可以通过减少对齐时间来提高吞吐量，因为精细对齐是由液滴完成的。当自组装与collective die-handing 解决方案相结合时，由于所有die同时粘合在... 阅150 转0 评0 公众公开 22-06-03 22:50 |
这项技术是1994年德国Robert Bosch公司在此前一项低温离子硅刻蚀技术的基础上发展的一项高深宽比硅刻蚀技术【4】。它的具体方法是：先在硅片把需要刻蚀微孔的位置的硅裸露出来，用各向同性的腐蚀气体在硅片上刻蚀下去一薄层，然后在刻蚀出来的坑的表面沉积保护层，再用等离子打掉坑底的保护层打掉，再用各向同性的腐蚀气体刻蚀一薄层，通过这样... 阅54 转0 评0 公众公开 22-05-11 09:11 |
目前来看，先进封装主要包括倒装（Flip Chip）、凸块（Bumping）、晶圆级封装（Wafer level package）、2.5D封装、3D封装（TSV）等技术。晶圆级封装方面，有扇出型30um芯片厚度研磨前切割技术、8 Hi HBM CPD晶圆高精准度(+/-2um)研磨技术、晶圆穿导孔、玻璃基板封装、晶圆级芯片尺寸六面保护封装技术开发、扇出型PoP芯片产品开发、晶粒贴合晶圆... 阅16 转0 评0 公众公开 21-11-26 09:39 |
