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10.1淀积第一层金属刻蚀停止层PECVD（SiCN）300?，—PECVD淀积SiCOH(3000?),—淀积二氧化硅250?（TEOS400℃）用于包裹密封覆盖多孔超低K介质(SiCOH)，同时防止光刻工艺中氧自由基破坏超低k介质。11.1淀积二氧化硅IMD-2A,淀积第一层金属刻蚀停止层PECVD（SiCN-2）600?，—PECVD淀积SiCOH(3500?),—淀积SiCN -1 ，600?作为第一次刻蚀停止层， 用... 阅3980 转48 评0 公众公开 19-04-04 10:58 |
90nm以下节点采用双重侧墙，多晶硅栅刻蚀完淀积一层氮氧化硅50~150?成为补偿隔离，补偿隔离刻蚀后留下20?氧化层。硬掩膜：为了提高光刻的分辨率和较长时间的抗蚀性能，利用很薄的光刻胶涂在晶圆例如薄氮化硅Si3N4层上，光刻使图形转移到氮化硅上，刻蚀氮化硅，再以氮化硅为掩膜刻蚀晶圆，即可得到高分辨率的图形。1.5浅槽刻蚀：高密度等离子刻... 阅5651 转93 评0 公众公开 19-04-04 10:55 |
浅谈12吋晶圆集成电路芯片制程前端之二.进入磁控溅射设备在表面淀积一层金属钛，（在真空腔中带电氩离子轰击钛靶，释放钛原子淀积到晶圆上）。7.3 进入快速退火（RTA）通入氮气，600℃,1分钟与硅接触之处钛与硅反应形成硅化钛TiSi,硅化钛是良导体，可与掺杂硅衬底以及多晶硅形成低阻欧姆接触。TiN可用反应溅射技术制造，也可先在硅晶圆上淀积T... 阅1052 转28 评0 公众公开 19-04-03 11:45 |
因此光刻之前晶圆必须平坦。合格晶圆送进HDPCVD设备，高密度等离子刻蚀机通入氯基或溴基气体进行反应等离子刻蚀，以便获得好的选择比（刻蚀速度有选择的对硅刻蚀快而对二氧化硅刻蚀慢，二者刻蚀速度的比值是选择比，结果是刻蚀完多晶硅后对二氧化硅刻蚀较少）。同时要求刻蚀具有各向异性（对深度刻蚀多，横向少刻蚀）的刻蚀特性，要求刻蚀线条... 阅2646 转36 评0 公众公开 19-04-03 11:45 |
FDSOI与深度耗尽沟道DDC器件。在SOI器件中，有源薄体在氧化硅上，氧化硅是绝热材料。DDC-FinFET器件：与SOI-FinFET类似，在立体的鳍（Fin）源漏下方形成DDC，则形成了3D立体DDC-FinFET器件或在鳍上制作DDC器件，三面包围栅同时用高k金属栅。4.1热氧化淀积氮氧化硅—MOCVD淀积高k介质HfSiO高温氮化形成HfSiON—原子层淀积ALD设备淀积1nm厚度的n... 阅1284 转17 评0 公众公开 19-04-02 20:12 |
刻蚀硅衬底凹陷形成鳍有源区。12.1 通孔1与金属2（先通孔双镶嵌工艺）：淀积SiCN500?,—PECVD淀积超低k（氧化硅-黑金刚石）6000?—光刻/刻蚀通孔-1—通孔中填充BARC,再淀积LTO低温氧化层——光刻/刻蚀槽——去除通孔内BARC—清洗—淀积Ta/TaN和铜种子层——电镀铜——CMP平坦化。**12.1.2 PECVD淀积SiCOH3500?—淀积SiCN600?—淀积SiCOH3000?—... 阅6526 转62 评0 公众公开 19-04-02 19:56 |
