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| 共 85 篇文章 |
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基于此原因，需要终点检测来监测刻蚀工艺并停止刻蚀以减小对下面材料的过度刻蚀。终点检测系统测量一些不同的参量，如刻蚀速率的变化、在刻蚀中被去除的腐蚀产物的类型或在气体放电中活性反应剂的变化（见图1）。根据这一点，终点检测器能检测出什么时候刻蚀材料已被刻完并进行下层材料的刻蚀。该法检测基片表面反射光的变化，即反射光随被刻蚀... 阅1657 转31 评0 公众公开 21-01-03 19:29 |
3）AL的干法刻蚀：金属的刻蚀与非金属刻蚀不同，金属刻蚀为了得到挥发性产物，要用到氯，结果就是刻蚀的残余气体以及刻蚀后的AL条周围很可能含有氯气，而我们知道氯气遇水就会变成酸，酸的作用就会腐蚀金属，从而导致金属后腐蚀，严重的AL条会出现缺口，或者表面被腐蚀的坑坑洼洼，造成产品的报废，因此，一般FAB都会在AL的干法刻蚀后进入EKC这... 阅2677 转38 评0 公众公开 20-11-15 11:12 |
【Study】基于机器学习的刻蚀效应修正方法——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》编者按：中国科学院大学微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期微电子学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。 阅337 转12 评0 公众公开 20-08-13 20:56 |
【Study】刻蚀方法的种类与刻蚀模型——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》编者按：中国科学院大学微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期微电子学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。 阅483 转21 评1 公众公开 20-08-13 20:55 |
半导体知识讲解：ETCH知识100问。金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?金属蚀刻机台asher的功用为何?何种气体为Poly ETCH主要使用气体?何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?答：(1)立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. ... 阅1 转自leafcho 公众公开 20-08-02 16:55 |
了解RF可以产生plasma后，接下来介绍RF system的构成。一般的RF powder system由三大部分组成，分别为：（1）射频电源（RF generator），（2）传输线（transmission line），（3）阻抗匹配系统（impedance matching system）。LAM的ETCH机台一般有两个RF generator，分别为Bias RF和TCP RF，Bias RF主要是用来调整plasma的方向，TCP RF主要是增... 阅2077 转48 评0 公众公开 20-07-05 21:29 |
7、ETCH设备之静电吸盘（ESC）介绍。库伦力型静电吸盘，电极与wafer之间被绝缘体隔绝，电极施加高电压时，wafer背面会诱发相反电荷，从而产生电荷间库伦力。迥斯热背型（Johnson-Rahbek）静电吸盘，电极与wafer之间的材料是导体(掺杂)，当在电极上施加电压时，由于电荷能够移动而集中在表面附近，使得正负电荷之间距离接近，吸附力较大，但由于... 阅10970 转83 评5 公众公开 20-07-05 21:29 |
蚀刻前的键能是（Si---Si，Si---O），蚀刻后的键能是（C---O，Si---F，Si---Cl，Si---Br），各个键能大小如下表：由于Si---Si（54）键能最小，Si---F（132），Si---Cl（96），Si---Br（88）键能均比Si---Si（54）大，所以含F，Cl，Br的气体均能蚀刻多晶硅。Si---O（111）键能比Si---Cl（96），Si---Br（88）大，而比Si---F（132）小，所以含Cl... 阅3868 转65 评0 公众公开 20-07-05 21:28 |
掌握这两个电压（Vdc&Vpp），就理解了DRY ETCH微观原理。前面已经向大家介绍DRY ETCH的宏观原理，这一节通过介绍两个电压参数（Vdc&Vpp），从微观角度分析DRY ETCH的基本原理。当正离子进入Plasma与Ion sheath边界时，离子被Vdc吸引加速轰击wafer表面，此时离子的能量为Vp Vdc，这就是DRY ETCH的微观原理。在实际应用中，当Vdc或Vpp参... 阅10519 转83 评0 公众公开 20-07-05 21:28 |
4、干法蚀刻（dry etch）原理介绍。polymer是把双刃剑，在蚀刻recipe中，要控制好polymer的生成量，过多或过少都会影响蚀刻结果，一般通过添加氢气（H2）和氧气（O2）控制polymer的量，氧气的作用是清除polymer，氢气的作用是增加polymer的生成，为什么O2可以清除polym？，H2可以增加polymer的含量？，欢迎知道的朋友后面留言，不知道的朋友底... 阅7099 转70 评3 公众公开 20-07-05 21:18 |
