(转)：内存器件介绍之RAM篇(六)

(转)：内存器件介绍之RAM篇(六)

分类： 基础知识 2011-01-10 21:43 208人阅读 评论(0) 收藏 举报

     在关于内存的前面五篇相关介绍文字中，基本上都是关于内存原理性方面的内容，下面介绍点DDR总线匹配方式和信号时序测试方面的实用内容。

       DDR总线的匹配方式

         SDRAM芯片总线使用的是3.3V LVTTL(Low Voltage Transistor-Transistor Logic)逻辑电平；

         DDR芯片总线使用的是SSTL-2(Stub Series Terminated Logic 2.5V，短线串联终止逻辑)逻辑电平，I/O端口电压2.5V；

    DDR2芯片总线使用的是SSTL-18(Stub Series Terminated Logic 1.8V，短线串联终止逻辑)逻辑电平，I/O端口电压1.8V；

    DDR3芯片总线使用的是SSTL-15(Stub Series Terminated Logic 1.5V，短线串联终止逻辑)逻辑电平，I/O端口电压1.5V；

 

        DDR/DDR2/DDR3总线有四种匹配方式(其实是SSTL逻辑的匹配方式)：

        1).串联匹配

 

    此匹配方式不需要VTT电源，但属于非理想匹配，DDR Controller的驱动能力对接收器件波形影响很大，且电路中ISI效应明显，串联电阻视驱动能力大小调整，典型值为25ohm。

       2).单端上拉匹配

    单端上拉匹配是内存条设计中最常用的匹配方式，设计中需注意要将上拉电阻靠近接收端放置。现在的简化设计中，一般不提供独立的VTT电源，而是利用两个100ohm电阻分别上拉到VDDQ和下来到地，分压得到VDDQ一半的电压，而且等效阻抗也是50ohm，效果一样。

       3).双端上拉匹配

    此种匹配方式常用于双向信号传输线路，并且要求BUFFER的驱动能力较强。

        4).RC匹配方式

 

      RC匹配主要用于多负载的地址、控制信号匹配，使信号平滑。

 

    内存信号的时序测试(也就是SSTL逻辑电平的时序测试)

      SSTL逻辑电平结构中的接口参数包括：VDDQ、VIH(ac)、VIH(dc)、Vref、VIL(dc)、VIL(ac)，VSS，如下图所示。

       1).VIH(ac)输入高电平交流参数：当信号向上穿越此阀值后为逻辑高电平的开始；

       2).VIH(dc)输入高电平直流参数：当信号向下穿越此阀值后为逻辑高电平的结束；

       3).VIL(ac)输入低电平交流参数：当信号向下穿越此阀值后为逻辑低电平的开始；

       4).VIL(dc)输入低电平直流参数：向信号向上穿越此阀值后为逻辑低电平的结束。

 

       DDR地址、控制信号的建立和保持时间均参考时钟信号CK、CK#，而数据信号的建立时间和保持时间参考的却是DQS。数据信号的建立和保持时间测试方法分为以下四种情况。

      1).在理想条件下，DQS和数据的Skew rate(信号上升/下降沿电平幅度与时间的比值，反应的是信号电平跳变的速度快慢)均大于等于1V/ns。此时数据的建立时间tSetup和数据的保持时间tHold测试方法如下图所示。

      2).在非理想条件下，DQS的Skew rate小于等于1V/ns，数据信号的Skew rate大于等于1V/ns。此时数据的建立时间tSetup和数据的保持时间tHold测试方法如下图所示。

      3). 在非理想条件下，数据的Skew rate小于等于1V/ns，DQS信号的Skew rate大于等于1V/ns。此时数据的建立时间tSetup和数据的保持时间tHold测试方法如下图所示。

      4).在极不理想情况下，DQS和数据的Skew rate小于等于1V/ns。此时数据的建立时间tSetup和数据的保持时间tHold测试方法如下图所示。

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转自：中国通信人博客 Andy 日志