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(1)
集电极-发射极击穿电压UCES，UCES为栅极对发射极短路时，集电极-发射极之间所能承受的最高电压，UCES直接反映了IGBT的耐压能力。
(2)
发射极-集电极击穿电压UECS。UECS为发射极-集电极之间所能承受的最高电压。IGBT的发射极-集电极之间的耐压能力(或称集电极-发射极之间的反向耐压能力)很低，UECS通常仅为十几伏．由此在电路中通常要在集电极-发射极之间反向并联保护二极管，如图2.5.5所示。有些IGBT元件直接就在元件内部集电极-发射极之间集成了一个反向并联保护二极管，这样的器件在参数表中就没有了UECS这一项。
(3)
栅极-发射极额定电压UGES。UGES为栅极-发射极之间所能承受的最高电压。IGBT是电压控制型器件，依靠栅极电压UGES来控制管子的导通与关断，由于栅极的绝缘层比较薄，容易被电压击穿，出此，一般限制UGES为士20V。
(4)
集电极最大允许电流ICM。ICM表示IGBT集电极允许流过的最大电流。当IGBT
工作于连续电流条件下时，ICM即表示IGBT集电极允许流过的最大连续电流；当IGBT工作于脉冲电流条件下时，ICM即表示IGBT集电极允许流过的最大脉冲电流。ICM也称为IGBT的电流额定值。
(5)
跨导gfe。IGBT是利用输入电压控制输出电流的器件，输出电流与输入电压的比值用跨导gfe表示，gfe＝ΔIc/ΔUGE，它也反映了IGBT的增益情况。
(6)
最大耗散功率PD。PD是指IGBT在理想散热条件下，器件处于最高允许结温时，所对应的耗散功率，它反映了IGBT最大可承受的自身耗散功率大小。
(7)
集电极-发射极饱和压降瓢UCEon。UCEon是IGBT在开通时，集电极-发射极之间的饱和压降，UCEon随集电极-发射极之间通过电流的增加而略有上升，通常在1~2V范围内
(8)
栅极开启电压UGEth。UGEth是使IGBT开始导通所需的最小栅射电压，通常在3~6V之间。
此外，IGBT也有极间电容、栅极电荷量、热阻等参数．其定义同于功率MOSFET，故不再赘述。
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