量子点发光二极管（QLED）的工业化要求使用危害较小的无镉量子点，其中ZnSe基蓝色和InP基绿色和红色量子点受到了广泛关注。相比之下，基于InP的绿色QLED的开发相对滞后。在这里，来自中国台湾的研究人员制备了直径为8.6 nm的绿色InP/ZnSe/ZnS量子点。然后，用不同的烷基二胺和卤化锌钝化InP量子点发射层，从而降低电子迁移率并增强空穴传输。这与优化电子传输层一起，导致绿色545 nm InP QLED，最大量子效率（EQE）为16.3%，电流效率为57.5 cd/A。EQE接近InP量子点的理论极限，发射量子产率为86%。相关论文以题目为“High efficiency green InP quantum dot light-emitting diodes by balancing electron and hole mobility”发表在Communication Materials期刊上。https://www./articles/s43246-021-00203-5 胶体量子点（QD）具有尺寸可控的带隙、优异的光电性能和高的色纯度，被认为是下一代量子发光二极管（QLED）的发射材料。1994年报告的第一个QLED遭受了低于0.01%的极低外部量子效率（EQE）。直到2011年，这一突破才取得了里程碑式的进展，QLED的出现是在混合QLED中引入了n型ZnO纳米颗粒作为电子传输层（ETL），证明了当时的高亮度（68000 cd m）−2）对于绿色CdSe ZnS量子点。从那时起，与CdSe相关的QLED不断取得进展，EQE达到20%的理论极限，用于红色、绿色和蓝色器件亮度达到3.6×105、1.7×106和6.3×104 cdm−2。尽管CdSe相关QLEDs性能优异，但由于其对环境和健康的危害，许多消费电子产品中已禁止使用Cd。在寻求替代方案的过程中，无Cd QLED的开发要求其广泛而实用的实现。在这方面，还广泛研究了包含许多其他量子点的QLED，如InP、ZnSe和CuInS2等，其中磷化铟（InP）基和硒化锌（ZnSe）基量子点被认为是有希望的良性替代品，也能覆盖几乎所有的自然色。到目前为止，与基于Cd的QLED相比，无Cd QLED的性能仍然较差。尽管如此，经过近几年的努力，蓝色ZnSeTe和红色InP QLED取得了突飞猛进的进展。优化的双发射层蓝色ZnSeTe QLED显示出接近理论极限的20.2%的EQE，亮度为88900Cd m−2 .在另一种方法中，红色InP QLED实现了21.4%的EQE，高亮度为1.0×105 cdm−2 .相比之下，基于InP的绿色QLED的进展仍然远远落后。在采用绿色InP/ZnSeS/ZnS量子点的传统器件结构下，报告的冠军EQE为13.6%，最大亮度为13900（cd m−2 )。至于更实用的倒置结构，绿色InP QLED的最高EQE甚至更低，据报道为10.0%，最大亮度为4000（cd m−2 )。绿色InP基QLED的性能差主要在于电子和空穴之间的迁移率不匹配。在最先进的有机/无机杂化QLED中，ZnO通常被用作有效的电子注入层，从而产生快电子流动性。相反，由于发射InP量子点和空穴传输层之间的能级偏移，空穴注入通常受到阻碍。这导致复合区中的电子和空穴不平衡，因此器件效率低。此外，在器件工作过程中，在势垒界面积累的过量载流子不仅作为非辐射中心，而且还增加了驱动电压，限制了器件寿命。理论上，找到与InP量子点能级匹配的空穴传输材料（HTM）可能会改善空穴注入，不幸的是，这是一个巨大的挑战，因为InP量子点的深价带。特别是，对一个绿色系统的能级排列进行了理论探讨InP/ZnSe/ZnS核/多壳层结构表明，绿色InP量子点具有较小的e/h波函数重叠，导致电子与空穴之间的平衡调节更加困难。（文：爱新觉罗星）
图1由BDA与卤化锌组合的协同效应钝化的InPGQD的示意图。
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