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中微半导体成立于2004年5月，注册资本4.81亿元，是由尹志尧博士等40多位半导体设备专家创办，是国内首家加工亚微米及纳米级大规模集成线路关键设备的公司，主要深耕集成电路刻蚀机领域，研制出中国大陆第一台电介质刻蚀机。 目前，在全球可量产的最先进晶圆制造7纳米生产线上，中微半导体是被验证合格、实现销售的全球五大刻蚀设备供应商之一，与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。此外，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线 在VLSI(美国领先的半导体行业市场研究公司)去年12月发布的2018年年终盘点中，中微(AMEC)在全球薄膜沉积设备供应商中排名首位，在蚀刻和清洗设备中排名第二。 主营范围：研发、组装集成电路设备、泛半导体设备和其他微观加工设备及环保设备，包括配套设备和零配件，销售自产产品。提供技术咨询、技术服务。2017年销售额在10.5亿远左右。 主要产品：
中微自主研发的300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备可以用于加工64/45/28纳米氧化硅（SiO），氮化硅（SiN）及低介电系数（low K）膜层等不同电介质材料。 具备高生产率、高性能的小批量多反应器系统可以灵活地装置多达三个双反应台反应器，以达到最佳芯片加工输出量。每个反应器都可以实现单芯片或双芯片加工。该设备具有独特的专利创新技术，包括甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，等离子隔离环及碳化硅喷淋头设计等。 高频去耦合反应离子刻蚀设备 这是业界首次在同一机台上实现单芯片或双芯片随意转换的加工设备。
Primo AD-RIE™是中微公司用于流程前端（FEOL）及后端（BEOL）关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备，主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工。基于前一代产品Primo D-RIE刻蚀设备已被业界认可的性能和良好的运行记录，Primo AD-RIE做了进一步的改进：采用了具有自主知识产权的可切换低频的射频设计，优化了上电极气流分布及下电极温度调控的设计。 Primo AD-RIE已经成功通过了3000片晶片马拉松测试。除已证实其具备更优越的重复性及稳定性以外，该产品还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。 产出率比市场上其它产品提高30%，主要用于流程前端蚀刻的第二代电介质蚀刻设备。 电介质刻蚀设备
中微的8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E™结构紧凑且具有极高的生产率，可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之后，中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。可应用于8英寸晶圆微电子器件。该产品占据了约50%的国内市场，而且进入了台湾，日本和欧洲市场。特别是博世半导体与意法半导体都采用了此设备。 硅通孔（TSV）刻蚀设备
主要用于国内氮化镓蓝光LED外延设备加工企业。已经在国内全面取代德国Aixtron和美国Veeco的设备。拥有4个反应腔，效率惊人， 比对比单反应器系统小近30％ 每台可同时加工136片4英寸外延晶片。已经销售100多台。并同时在全球申请了155件专利。 使Prismo更适合当今的LED工厂。 中微Prismo D-BLUE 公司获得的奖项： “2008年度中国半导体创新产品和技术”——中国半导体协会 “2009年度最佳产品奖”——美国《半导体国际》杂志 “2009年度上海市科学技术进步奖一等奖”——上海市政府 “2010年度最具创新力成长公司” “2011年“中国最具创新品牌大奖” 总结：中微一贯致力于对研发的投入，以期快速、及时地研发出具有领先技术的创新产品。为世界上最先进的半导体生产制造商及其他高科技公司提供最先进的设备和解决方案。拥有世界一流的创新能力，并为业界广泛认可。 |
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